[发明专利]一种降低背接触光伏电池贯孔电极处漏电的方法

说明书

本发明公开了一种降低背接触光伏电池贯孔电极处漏电的方法，首先经过清洗、打孔、制绒、扩散后得到带有通孔的电池片，其特征在于，在所述通孔内表面及电池背面孔洞处铺设一层绝缘掩膜后。本发明操作简单，无需专门的激光绝缘设备，以较低的成本形成保护掩膜，有效保护硅片背面孔洞周边的p‑n结以及孔洞内壁的p‑n结。

技术领域

本发明涉及一种降低背接触光伏电池贯孔电极处漏电的方法，属于光伏电池制造领域。

背景技术

MWT和EWT电池是将光伏电池正面收集的电子通过通孔中制作的贯孔电极转移至电池背面，因此它无需在电池正面制作主栅线，减少了电池正面被遮挡的面积提高电池效率。

MWT和EWT电池在实际大规模生产过程中，光生载流子经过贯孔电极时有可能在孔洞处发生漏电的现象。-常见的技术工艺采用了双面扩散、激光绝缘周边和孔洞的方法，来防止上述漏电的现象。但这些工艺需要额外的激光设备及双面扩散工艺，成本高、产能低，并不适合大规模商业化生产。

发明内容

发明目的：本发明提出一种降低背接触光伏电池贯孔电极处漏电的方法，提供低成本的贯孔电极漏电保护。

技术方案：本发明采用的技术方案为一种降低背接触光伏电池贯孔电极处漏电的方法，首先经过清洗、打孔、制绒、扩散后得到带有通孔的电池片，其特征在于，在所述通孔内表面及电池背面孔洞处铺设一层绝缘掩膜后。

优选地，所述绝缘掩膜为石蜡或油墨。在所述通孔内使用丝网印刷法制作一层绝缘掩膜。在所述通孔内使用喷墨打印法制作一层绝缘掩膜。

有益效果：本发明操作简单，无需专门的激光绝缘设备，以较低的成本形成保护掩膜，有效保护硅片背面孔洞周边(掩膜范围内)的p-n结以及孔洞内壁的p-n结。

附图说明

图1为保护掩膜充满通孔时电池片结构示意图；

图2为保护掩膜未充满通孔时电池片结构示意图。

1-衬底，2-保护掩膜，3-扩散层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等同形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

实施例1：

本实施例包括如下工艺流程：

1、光伏电池片的制备

硅片依次经过清洗工艺，形成电池片。

2、打孔

由于MWT的结构，电池片厚度方向上需要形成多个通孔。现有的激光器种类很多，通常采用1064nm Nd：YAG激光器打孔。通孔孔径为100-500um，每块电池片打25个通孔。

3、制绒

制绒的主要目的是降低电池片正面的反射率，让绝大部分阳光能够被电池片吸收。对于单晶硅电池片，制绒过程采用碱腐蚀法，这种碱腐蚀液具有各向异性腐蚀的性质，可以做出形貌均匀的金字塔形状。而对于多晶硅电池片，由于晶向的影响，通常采用酸腐蚀法，酸腐蚀一般都是各向同性腐蚀。

4、扩散

扩散是制备光伏电池的核心步骤，通过扩散工艺在衬底1上形成pn结。目前MWT电池通常使用液态源扩散，用POCl₃作为磷源，BBr₃作为硼源，扩散浓度越高其表面的方块电阻就会越小。

5、制备通孔保护掩膜