[发明专利]一种相变导热硅胶片的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及导热电子材料领域，特别涉及一种相变导热硅胶片的制备方法。

背景技术

目前电子产品使用范围非常广，已经在人们的生活中不可分割。而发热是电子产品发挥其良好性能的屏障，由此高性能的散热导热材料应运而生。普通的导热硅胶垫片做到很低的硬度才会具有良好的界面填充性使界面热阻得到尽可能的降低，硬度很低的垫片成型后不易后续生产裁切，且在客户处使用时不方便拿取，为了好拿取用有些专利及生产厂家采用玻纤增强的方法。高的导热系数要添加非常高份数的导热粉体，因而会导致料在硫化之前的流动性很差，难以浸润玻纤，为此要实现高的导热系数根本不可能。而相变导热片可以解决低硬度、高导热、低热阻、易裁切、易使用之间存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低硬度、高导热、低电阻的相变导热硅胶片的制备方法，本发明提出以下技术方案：

一种相变导热硅胶片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

A、按照如下质量百分比称取配料：

基体材料：10％～95％；

导热填料：5％～90％；

长链烷基的烯脂类材料为基体材料重量的10％～60％；

抗氧化剂为长链烷基的烯脂类材料重量的0.5％；

表面处理剂为导热填料重量的0.1％～2％；

B、将导热填料与表面处理剂混合，在80℃～120℃温度密闭条件下搅拌2～5小时后，冷却至室温；

C、加入基体材料，搅拌2～5小时；

D、加入长链烷基的烯脂类材料和抗氧化剂，搅拌30分钟；

E、将得到半成品放入真空箱中真空脱泡，然后使用涂布设备压成一定厚度后硫化成型，得到相变导热硅胶片。

作为本发明的一种优选方案，所述导热填料为氧化铝、氮化铝、氮化硼、氧化锌、氧化铍、碳化硅、铜粉、石墨、铝粉中的一种或者两种以上的混合物。

作为本发明的另一种优选方案，所述导热填料的粒径为0.5μm至250μm。

作为本发明的又一种优选方案，所述长链烷基的烯脂类材料的碳链长度为16～30个。

作为本发明的再一种优选方案，所述表面处理剂为硅烷类偶联剂、铝酸酯类偶联剂或者钛酸酯类偶联剂。

作为本发明的再一种优选方案，所述硅烷类偶联剂为乙烯基硅烷偶联剂。

作为本发明的再一种优选方案，所述抗氧化剂为抗氧化剂1010、抗氧化剂1076、抗氧化剂DLTP、抗氧化剂168中的一种或两种以上的混合物。

本发明带来的有益效果是：

本发明方法得到的相变导热硅胶片的导热系数在10W/m·K，热阻≤0.07℃*in²/W。通过原料的选取，原料配比的控制以及工艺控制过程的控制，得到高导热系数，低热阻的相变导热硅胶片。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

实施例1：

各组分添加比例：

0.5μm氧化铝：50g

10μm氧化铝：300g

100μm氧化铝：650g

KH570：9g

乙烯基硅油：45g

含氢硅油：5g

丙烯酸二十二酯：50g

抗氧剂1076：0.25g

抗氧剂DLTP：0.25g

铂金催化剂：2g

抑制剂：0.2g

将硅烷偶联剂KH570加入捏合机中，然后加入称量份的导热填料，于80℃搅拌处理3小时，降温加入乙烯基硅油、丙烯酸二十二酯、含氢硅油、抑制剂、搅拌时间为3小时，然后加入催化剂搅拌30min，出料。将半成品放入真空箱中真空脱泡，然后用涂布设备压成一定厚度后硫化成型，相变导热硅胶片材料经裁切得到相变导热硅胶片，10psi时其热阻≤0.11℃*in²/W，导热系数为5.1W/m.K，LX-00＝45，相变温度44.3℃，相变后硬度为LX-00＝17。

实施例2：

各组分添加比例：

0.7μmBN：50g

10μm氧化铝：200

150μm氧化铝：600g

250μmBN：150g

KH570：9g

乙烯基硅油：35g

含氢硅油：7g

丙烯酸十八酯：60g

抗氧剂1010：0.3g