[发明专利]感光芯片封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201510726417.0 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105244360B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 王之奇;谢国梁 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种感光芯片封装结构,包括:
感光芯片,具有彼此相对的第一面以及第二面,所述第一面设置有感光区;
保护盖板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面,所述第一表面覆盖至所述第一面;
遮光层,设置于所述保护盖板的第二表面,所述遮光层上设置有开口,所述开口暴露所述感光区;
其特征在于:
所述遮光层包括位于所述第二表面上的吸光层以及位于所述吸光层上的金属层,
所述吸光层的材质为黑胶或黑色感光胶。
2.根据权利要求1所述的感光芯片封装结构,其特征在于,所述金属层经过表面黑化处理。
3.根据权利要求2所述的感光芯片封装结构,其特征在于,所述金属层的材质为铝。
4.根据权利要求1所述的感光芯片封装结构,其特征在于,所述保护盖板的第一表面设置有支撑坝,所述支撑坝与所述保护盖板的第一表面形成空腔,所述感光区位于所述空腔内。
5.根据权利要求1所述的感光芯片封装结构,其特征在于,所述感光芯片封装结构还包括:设置于所述第一面且位于所述感光区外的焊垫;
从所述第二面向所述第一面延伸的通孔,所述通孔暴露出所述焊垫;
覆盖所述第二面和所述通孔侧壁表面的绝缘层;
位于所述绝缘层上以及通孔底部的金属布线层,所述金属布线层与所述焊垫电连接;
位于所述金属布线层以及所述绝缘层上的阻焊层,所述阻焊层上设置有开孔,所述开孔底部暴露出金属布线层;
填充所述开孔的焊球,所述焊球与所述金属布线层电连接。
6.一种感光芯片的封装方法,包括:
提供晶圆,具有多颗阵列排布的感光芯片,具有彼此相对的第一面以及第二面,所述第一面设置有感光区;
提供基板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;
将所述晶圆与所述基板对位压合,使所述第一表面覆盖至所述第一面;
切割所述晶圆以及基板形成多颗感光芯片封装结构;
其特征在于:
在所述基板的第二表面上形成遮光层,所述遮光层上设置与所述感光芯片对应的开口,所述开口暴露所述感光区;
所述遮光层包括位于所述第二表面上的吸光层以及位于所述吸光层上的金属层,
所述吸光层的材质为黑胶或黑色感光胶。
7.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述吸光层的材质为黑胶,形成所述遮光层的步骤包括:
在所述基板的第二表面整面涂布黑胶形成黑胶层;
在所述黑胶层上沉积金属材料形成金属材料层;
对所述金属材料层进行表面黑化处理;
在所述金属材料层上刻蚀出开口形成所述金属层;
以所述金属层为掩膜,在所述黑胶层上刻蚀出开口形成所述吸光层。
8.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述吸光层的材质为黑色感光胶形成所述遮光层的步骤包括:
在所述基板的第二表面整面涂布黑色感光胶形成黑色感光胶层;
在所述黑色感光胶层上沉积金属材料形成金属材料层;
对所述金属材料层进行表面黑化处理;
在所述金属材料层上刻蚀出开口形成所述金属层;
以所述金属层为光阻层,通过曝光显影工艺在所述黑色感光胶层上形成开口从而获得所述吸光层。
9.根据权利要求7或8所述的封装方法,其特征在于,所述金属层为铝层。
10.根据权利要求6所述的封装方法,其特征在于,所述感光芯片还包括设置于第一面且位于所述感光区外的焊垫;在将晶圆与所述基板对位压合之后还包括:
在所述晶圆的第二面形成向所述第一面延伸的通孔,所述通孔暴露出所述焊垫;
形成覆盖所述晶圆的第二面和所述通孔侧壁表面的绝缘层;
形成位于所述绝缘层上以及通孔底部的金属布线层,所述金属布线层与所述焊垫电连接;
形成位于所述金属布线层以及所述绝缘层上的阻焊层,所述阻焊层上设置有开孔,所述开孔底部暴露出金属布线层;
形成填充所述开孔的焊球,所述焊球与所述金属布线层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的