[发明专利]光电转换装置和成像系统有效
申请号: | 201510726144.X | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN105405858B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 小林昌弘;岸隆史;山下雄一郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/232 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 程连贞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 成像 系统 | ||
本发明涉及光电转换装置和成像系统。在能够将包含在光电转换单元中的光电转换元件的信号相加的光电转换装置中,每个光电转换元件包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件之间,以及第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度比第三半导体区域的杂质浓度低。
本申请是基于申请号为201210363633.X、申请日为2012年09月26日、发明名称为“光电转换装置和成像系统”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光电转换装置。更特别地,本发明涉及光电转换元件之间的隔离结构。
背景技术
常规上,存在如下技术,该技术处理由光电转换装置的多个光电转换元件产生的信号作为一个像素的信号。例如,存在如下技术,该技术通过提供与一个微透镜对应的多个光电转换元件基于相位差方法来检测聚焦。根据在日本专利申请公开No.2001-250931中讨论的技术,单独地读出与一个微透镜对应的多个光电转换元件的每个信号,并检测聚焦。通过将与一个微透镜对应的多个光电转换元件的信号相加而获得的信号被视为一个像素的信号。
当多个光电转换元件的信号被视为一个像素的信号时,当多个光电转换元件的感光度或者入射到多个光电转换元件上的光量存在差异时,不能获得适当的信号。此外,由于光电转换元件被布置为与各元件相邻,因此不能依赖于相邻元件之间的隔离结构而获得适当的信号。
发明内容
本发明针对通过使用光电转换元件之间的适当的隔离结构在多个光电转换元件的信号被用作一个信号时获得希望的信号。
根据本发明的一个方面,光电转换装置包括多个光电转换单元,光电转换单元包含多个光电转换元件,并且光电转换装置将包含在光电转换单元中的多个光电转换元件的信号相加。在光电转换装置中,多个光电转换元件中的每一个包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件的第一半导体区域之间,第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件的第一半导体区域之间,以及第二半导体区域的至少一部分的第二导电类型的杂质浓度比第三半导体区域的第二导电类型的杂质浓度低。
根据以下参照附图对示例性实施例进行的详细描述,本发明的其它特征和方面将变得明显。
附图说明
包含在说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的示例性实施例、特征和方面,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明的示例性实施例的成像装置的总体配置的示意图。
图2是根据示例性实施例的光电转换装置的俯视图。
图3A至3C是根据示例性实施例的光电转换装置的断面图和电势图。
图4示意性地示出根据示例性实施例的光电转换装置的输出。
图5A至5D示出在根据示例性实施例的光电转换装置中累积的电荷。
图6A至6C是根据示例性实施例的光电转换装置的断面图和电势图。
图7A至7C是根据示例性实施例的光电转换装置的俯视图和电势图。
图8A至8C是根据示例性实施例的光电转换装置的断面图和电势图。
图9示意性地示出被照体与形成的该被照体的图像之间的关系。
图10A和图10B示意性示出基于相位差方法的聚焦检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的