[发明专利]半导体激光器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

在2014年10月31日提交的日本专利申请No.2014-223689的包括 说明书、附图及摘要在内的公开内容全文通过援引并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体激光器及其制造方法，并且能够优选地用于例如 台面型半导体激光器中。

背景技术

应用于光纤通信技术中的半导体激光器正在开发中。

例如，专利文献1(日本未经审核的专利公开No.2008-53649)公 开了用于减小埋入式半导体激光器中的漏电流的技术。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本未经审核的专利公开No.2008-53649

发明内容

本发明的发明人从事于应用在光纤通信技术中的半导体激光器的研 究和开发，并且努力研究以提高其性能。在此过程中，已经发现，在半 导体激光器的结构和制造方法方面还存在提高半导体激光器的性能的更 多改进空间。

其它的问题和新特性根据本说明书的描述及附图将变得清晰。

在本申请所公开的优选实施例当中，典型实施例的概要将被简要地 描述如下。

在本申请所公开的一种实施例中描述的半导体激光器具有：设置于 半导体基板之上的台面型半导体部分；以及设置于台面型半导体部分的 两侧的块层。该块层具有：形成于台面型半导体部分的侧表面之上以及 于半导体基板之上的包含p型化合物半导体的p型块层；形成于p型块 层之上且具有比p型块层的电阻大的电阻的第一电阻层；以及形成于第 一电阻层之上的包含n型化合物半导体的n型块层。

在本申请所公开的一种实施例中描述的半导体激光器的制造方法包 括形成台面型半导体部分的步骤，在此步骤中p型化合物半导体层、有 源层和n型化合物半导体层按照此顺序自下而上形成于p型半导体基板 之上。之后，块层形成于在台面型半导体部分的两侧的半导体基板之 上。形成块层的步骤包括以下步骤：在台面型半导体部分的侧表面之上 以及在半导体基板之上形成p型块层；在p型块层之上形成具有比p型 块层的电阻大的电阻的电阻层；并且在电阻层之上形成n型块层。

根据在本申请所公开的下列典型实施例中描述的半导体激光器，半 导体激光器的特性能够得以提高。

根据在本申请所公开的下列典型实施例中描述的半导体激光器的制 造方法，能够制造具有良好特性的半导体激光器。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体激光器的结构的剖面图；

图2是示出根据第一实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面图；

图3是示出根据第一实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面图， 该制造步骤紧随图2的制造步骤之后；

图4是示出根据第一实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面图， 该制造步骤紧随图3的制造步骤之后；

图5是示出根据第一实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面图， 该制造步骤紧随图4的制造步骤之后；

图6是示出根据第一实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面图， 该制造步骤紧随图5的制造步骤之后；

图7是示出比较例的半导体激光器的结构的剖面图；

图8是示出在比较例的半导体激光器中的漏电流的通路的剖面图；

图9是示出在比较例的半导体激光器中的漏电流的通路的剖面图；

图10是示出在根据第一实施例的半导体激光器中的漏电流的通路 的剖面图；

图11是在根据第一实施例的半导体激光器中的台面型半导体部分 与块层之间的边界部分附近的放大示意图；

图12是示出在p型块层的厚度与半导体激光器的阈值之间的关系 的曲线图；

图13是示出根据第二实施例的半导体激光器的结构的剖面图；

图14是示出根据第二实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面 图；

图15是示出根据第二实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面 图，该制造步骤紧随图14的制造步骤之后；

图16是示出根据第二实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面 图，该制造步骤紧随图15的制造步骤之后；

图17是示出根据第二实施例的半导体激光器的制造步骤的剖面 图，该制造步骤紧随图16的制造步骤之后；