[发明专利]半导体制程设备的O形环的安装方法及导片、滚轮与治具

说明书

技术领域

本发明为一种半导体制程设备的O形环的安装方法及安装使用的导片、滚轮与治具，尤指一种通过导片辅助O形环确实且均匀安装于半导体制程设备上，以防止半导体制程设备因为O形环安装不确实造成寿命减短以及漏气衍生的污染情形发生，有效降低因O形环安装不平顺可能造成的产能损失，进而提高半导体产品的合格率。

背景技术

现有技术的半导体制程设备如图18及图19所示，其包括一腔室100，腔室100中设有一晶座110、一流体供应单元120、一承载元件130以及一延伸覆盖元件140，该承载元件130上方进一步载置有晶圆150，再通过制程气体170进行蚀刻制程。当蚀刻制程进行时，流体供应单元120提供一流体121，并且该流体121穿越晶座110以及承载元件130所设置的通道进而对晶圆150下方充气，使晶圆150浮于承载元件130之上进行冲击蚀刻；但由于晶座110与承载元件130的交界面处会有微小细缝的产生，导致部分流体121会从此细缝泄漏至晶座110与承载元件130间的沟槽160中，进而泄漏至延伸覆盖元件140与晶座110、承载元件130间的通道内，对半导体制程设备产生损害，甚至有环境污染的疑虑。

针对上述问题，如图20所示，现有技术已包括以一O形环180套设于晶座110以及承载元件130间的沟槽160中，使O形环180遮蔽该微小细缝，有效阻挡流体121的泄漏及制程气体170对沟槽160的侵蚀。但由于所述半导体制程设备的晶座110、承载元件130、沟槽160等元件实际上尺寸很小，故要将O形环180均匀并且平顺地套设进入沟槽160中并不容易，若是安装不确实导致O形环180部分凸出于沟槽160外，会阻碍设备的运转；且因为O形环180设置的目的主要为阻挡流体121的泄漏，且长久下来O形环180也会逐渐被制程气体170蚀刻而变薄、破损，所以若无法确实并且均匀地将O形环180套设进入沟槽160中，将无法预期O形环180何时可能会有破损的情形发生，并及时在其破损前更换新的O形环180以防止流体121的泄漏及制程气体170对沟槽160的侵蚀。故现有技术在半导体制程上仍存在有许多因为流体121的泄漏及制程气体170对沟槽160的侵蚀所造成的设备损坏、环境污染、以及产品合格率不一的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够确实地将O形环均匀并且平顺地安装进入半导体制程设备的沟槽中的半导体制程设备的O形环的安装方法及导片、滚轮与治具，借此保障O形环不会凸出沟槽影响设备的运作，也不会在预定的有效寿命期间内发生破损，导致流体泄漏，使蚀刻制程更加稳定、安全。

为达到上述的发明目的，本发明所采用的技术手段为提供一种半导体制程设备的O形环的安装方法，其中该半导体制程设备包括有一晶座本体与一承载元件，该晶座本体具有一晶座顶面，该承载元件设于晶座顶面上，承载元件包括一承载顶部与一环侧部，并于环侧部上设有一沟槽，所述沟槽形成于承载顶部与晶座顶面之间，而所述半导体制程设备的O形环的安装方法包括以下步骤：

初步套设：将O形环初步套设于晶座本体的外缘靠近晶座顶面处；

定位：以一具有与O形环相对应的凹槽的导片，将O形环卡合于凹槽内，并将O形环移动至沟槽的外侧，使O形环与沟槽相对位；

半压：以一半压治具按压该O形环，使O形环朝向沟槽的方向移动，并且使O形环部分地填满所述沟槽；以及

全压：以一全压滚轮按压以及辗压该O形环，使O形环进一步朝向沟槽的方向移动，直到O形环完全填满所述沟槽。

较佳的是，所述半压治具以分次且单点的按压方式沿O形环的周缘逐步按压该O形环，而其按压的顺序为：先将O形环的周缘等分为多个圆弧区域，其中每一个圆弧区域分别具有两端点、一中点以及两中继点，所述两端点分别为第一端点及第二端点，所述两中继点分别为第一中继点及第二中继点，其中该中点设于第一端点与第二端点中间，而该第二端点与中点中间为该第一中继点，第一端点与中点中间为该第二中继点；该半压治具首先对第一端点进行按压，接着对第二端点进行按压，再对中点进行按压，接着对第一中继点进行按压，最后对第二中继点进行按压，以完成一个圆弧区域的半压步骤；其余圆弧区域以相同的按压顺序进行半压步骤，直到所有圆弧区域均完成半压步骤为止。此技术手段是简单利用将O形环周缘等分为多个圆弧区域，并依序对各圆弧区域进行规律性地按压，使O形环通过半压治具的按压后不会有凸出于沟槽外影响设备运作的情形发生，也使被半压进入沟槽中的O形环更为均匀、平顺。