[发明专利]一种激光器输出的控制方法及激光器有效
| 申请号: | 201510725154.1 | 申请日: | 2015-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN105186281A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
| 发明(设计)人: | 居剑;王平成;蒋峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市创鑫激光股份有限公司 |
| 主分类号: | H01S3/117 | 分类号: | H01S3/117 |
| 代理公司: | 深圳华奇信诺专利代理事务所(普通合伙) 44328 | 代理人: | 宋建平 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光器 输出 控制 方法 | ||
1.一种激光器输出的控制方法,其特征在于,包括:
使所述激光器的泵浦源向所述激光器的谐振腔内输入泵浦光;
在所述激光器的增益介质吸收存储所述泵浦光累积激光上能级反转粒子数的过程中,以及在声光Q开关的工作周期内,提高所述声光Q开关的驱动电压和/或提高所述泵浦源的驱动电流,并以在所述声光Q开关的驱动电压达到其最大承受电压之前,所述激光器满足谐振腔起振条件,所述激光器输出第一光脉冲;
在所述激光器输出第一光脉冲后,继续在所述声光Q开关的工作周期内提高所述声光Q开关的驱动电压和/或提高所述泵浦源的驱动电流,以在所述声光Q开关的驱动电压达到其最大承受电压之前,所述激光器再次满足所述谐振腔起振条件,所述激光器输出第二光脉冲。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述谐振腔起振条件为所述激光器的谐振腔内增益系数大于所述激光器的谐振腔内部损耗系数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
在所述激光器输出第一光脉冲或所述激光器输出第二光脉冲之后,所述激光器的谐振腔内增益系数均下降;
所述谐振腔内增益系数的增加速度随着所述泵浦源的驱动电流增加而增加,所述声光Q开关的Q值随着所述声光Q开关的驱动电压的增加而增加,所述激光器的谐振腔内部损耗系数随着声光Q开关的Q值的增加而减小。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述声光Q开关的驱动电压到达其最大承受电压,并且所述增益介质的激光上能级反转粒子消除后,将所述声光Q开关的驱动电压下调至第一预定值,所述泵浦源的驱动电流下调至第二预定值,并返回所述在所述增益介质吸收存储所述泵浦光以使所述增益介质的激光上能级反转粒子数累积的过程中,提高所述声光Q开关的驱动电压以提高所述声光Q开关的Q值和/或提高所述泵浦源的驱动电流的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
在所述激光器输出第一光脉冲时,所述方法还包括:使所述第一光脉冲打到被加工物体上;
在所述激光器输出第二光脉冲时,所述方法还包括:使所述第二光脉冲打到被加工物体上。
6.一种激光器,其特征在于,包括:高反射率反射光纤光栅、低反射率反射光纤光栅、声光Q开关、泵浦源、控制器和增益介质,所述高反射率反射光纤光栅、低反射率反射光纤光栅和增益介质构成谐振腔,所述声光Q开关和泵浦源设置于所述谐振腔内,所述控制器分别与所述声光Q开关、泵浦源和增益介质连接;
所述泵浦源,用于向所述谐振腔输入泵浦光;
所述增益介质,用于存储所述泵浦光,累积激光上能级反转粒子数;
所述控制器,用于在所述增益介质累积激光上能级反转粒子数的过程中,以及在所述声光Q开关的工作周期内,提高所述声光Q开关的驱动电压和/或提高所述泵浦源的驱动电流,以在所述声光Q开关的驱动电压达到其最大承受电压之前所述激光器满足谐振腔起振条件,所述激光器输出第一光脉冲;在所述激光器输出第一光脉冲后,继续在所述声光Q开关的工作周期内提高所述声光Q开关的驱动电压和/或提高所述泵浦源的驱动电流,以在所述声光Q开关的驱动电压达到其最大承受电压之前所述激光器再次满足谐振腔起振条件,所述激光器输出第二光脉冲。
7.根据权利要求6所述的激光器,其特征在于,
所述谐振腔起振条件为所述激光器的谐振腔内增益系数大于所述激光器的谐振腔内部损耗系数。
8.根据权利要求7所述的激光器,其特征在于,
在所述激光器输出第一光脉冲或所述激光器输出第二光脉冲之所述激光器输出每一个光脉冲后,所述激光器的谐振腔内增益系数均下降;
所述谐振腔内增益系数的增加速度随着所述泵浦源的驱动电流增加而增加,所述声光Q开关的Q值随着所述声光Q开关的驱动电压的增加而,所述激光器的谐振腔内部损耗系数随着声光Q开关的Q值的增加而减小。
9.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,
所述控制器还用于:
在所述声光Q开关的驱动电压到达其最大承受电压,并且所述增益介质的激光上能级反转粒子被消除后,将所述声光Q开关的驱动电压下调至第一预定值,所述泵浦源的驱动电流下调至第二预定值。
10.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,
所述增益介质包括氦气、氖气、红宝石、砷化镓、硫化铬硫化锌、稀土粒子和氩离子。
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