[发明专利]溶液法制备MoO3/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法

权利要求书

1.溶液法制备MoO₃/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法，其特征在于具体步骤为：

（1）将硅基片依次用丙酮和酒精超声震荡后用双氧水与硫酸的混合清洗液加热煮沸10min，其中双氧水与硫酸的体积比为1:3；

（2）将步骤（1）清洗过的硅基片置于填充有HF-AgNO₃腐蚀液的高压反应釜中，该HF-AgNO₃腐蚀液中HF与AgNO₃的摩尔浓度分别为0.1mol/L，高压反应釜密封后放入烘箱中于50℃处理30min；

（3）从高压反应釜中取出硅基片，用去离子水将硅基片表面覆盖的银灰色金属包覆物清洗干净，然后将硅基片置于王水中加热煮沸2min去除硅基片表面的金属包覆物及银颗粒；

（4）将硅基片用去离子水清洗干净后放入质量浓度为10%的HF溶液中浸泡10s去除硅基片表面的自然氧化物，再用去离子水清洗干净，然后用氮气吹干后得到带有纳米线阵列的硅基片备用；

（5）将0.2g纯度为99.99%的钼粉、20mL乙醇和0.7mL双氧水置于反应釜中并混合均匀，然后将反应釜密封后于60℃反应20h得到无水氢化三氧化钼，然后真空干燥备用；

（6）将无水氢化三氧化钼溶于去离子水或异丙醇中形成MoO₃溶液，将MoO₃溶液旋涂于带有纳米线阵列的硅基片上，旋涂速率为5000rpm，旋涂时间40s，然后于140℃退火去除水分或异丙醇溶剂；

（7）将步骤（6）处理后的硅基片分别镀上厚度为10nm的透明导电铜电极作为正极和厚度为100nm的铝电极作为负极得到MoO₃/硅纳米线阵列异质结太阳能电池。