[发明专利]一种节能电磁铁及ATM机钞箱制动装置在审
| 申请号: | 201510720623.0 | 申请日: | 2015-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN105354921A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
| 发明(设计)人: | 胡传启;代宇;蔡海亮 | 申请(专利权)人: | 新达通科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G07F9/00 | 分类号: | G07F9/00;H01F7/06 |
| 代理公司: | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人: | 孙子才 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 节能 电磁铁 atm 机钞箱 制动 装置 | ||
1.一种节能电磁铁,包括铁芯和缠绕在铁芯外部的导电绕组、为导电绕组提供电流的电源,设置在电源与导电绕组之间的控制开关,其特征在于:还包括控制控制开关闭合与否的控制装置,所述的控制装置产生的控制信号为控制开关闭合与否PWM信号。
2.根据权利要求1所述的节能电磁铁,其特征在于:所述的控制开关为MOS管U16,所述的MOS管U16的源极和漏极分别接电源端和导电绕组的电源输入端,栅极接所述的控制装置的PWM信号输出端。
3.根据权利要求2所述的节能电磁铁,其特征在于:所述的控制装置包括输出PWM逻辑信号的处理器、对PWM逻辑信号进行处理生成PWM信号的分压偏置电路;所述的分压偏置电路包括三极管Q15,PWM逻辑信号分别通过电阻R269和电阻R270接所述的三极管Q15的基极和发射极,三极管Q15的发射极接地;高电平通过电阻R265与电阻R268串连后接入到所述的三极管Q15的集电极,在电阻R265与电阻R268之间引出导线接所述的MOS管U16的漏极。
4.根据权利要求3所述的节能电磁铁,其特征在于:在电阻R265与电阻R268之间与所述的MOS管U16的漏极之间的导线上串连有电阻R266,所述的电阻R256、电阻R268和电阻R266的阻值比为100:120:1。
5.根据权利要求3所述的节能电磁铁,其特征在于:所述的三极管Q15的型号为Q8050。
6.根据权利要求3所述的节能电磁铁,其特征在于:所述的电阻R265和电阻R268的阻值比为1:2。
7.根据权利要求1至6中任一所述的节能电磁铁,其特征在于:在所述的电源输出端还设置有保险丝F4,所述的MOS管U16采用型号为IRF5803的P沟道MOSFET。
8.一种ATM机钞箱制动装置,在ATM机芯的控制下对钞箱开闭进行制动,包括电磁铁,其特征在于:所述的电磁铁铁芯和缠绕在铁芯外部的导电绕组、为导电绕组提供电流的电源、设置在电源与导电绕组之间的控制开关、控制控制开关闭合与否的控制装置;
所述的控制开关为型号为IRF5803的MOS管U16,所述的MOS管U16的源极和漏极分别接电源端和导电绕组的电源输入端;
所述的控制装置包括ATM机的主处理器,所述的ATM机的主处理器产生PWM逻辑信号,还包括对PWM逻辑信号进行处理生成PWM信号的分压偏置电路;所述的分压偏置电路包括三极管Q15,PWM逻辑信号分别通过电阻R269和电阻R270接所述的三极管Q15的基极和发射极,三极管Q15的发射极接地;高电平通过电阻R265与电阻R268串连后接入到所述的三极管Q15的集电极,在电阻R265与电阻R268之间引出导线接所述的MOS管U16的漏极;在电阻R265与电阻R268之间与所述的MOS管U16的漏极之间的导线上串连有电阻R266。
9.根据权利要求8所述的ATM机钞箱制动装置,其特征在于:所述的电阻R269和R270的阻值分别为1K欧姆和2K欧姆;所述的电阻R265、电阻R266和电阻R268的阻值分别为10K欧姆、100欧姆、12K欧姆,电源的输出电压为24VDC,三极管Q15的集电极上的高电平为24VDC。
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