[发明专利]一种闪存控制芯片

说明书

本发明公开了一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，增加了闪存控制芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及电子信息领域，特别是涉及一种闪存控制芯片。

背景技术

闪存(Flash Memory，简称flash)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，

随着越来越多深亚微米工艺的新型号flash闪存的出现，flash内部的升压电路成为了flash中越来越脆弱的部分，由于其出现问题导致的整片flash无法工作的情况的比例也越来越高，而且随着flash使用时间的增加，增加升压电路的输出电压对flash寿命的延长有非常直接的作用，但flash内部固定不变的输出电压会导致越来越多flash单元的寿命提前终结。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种闪存控制芯片，可以辅助闪存控制芯片实现升压。

为实现上述目的，本发明提供了一种闪存控制芯片，包括：

辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压。优选地，所述辅助升压电路模块包括：

初始输出电压值确定子模块，用于确定需要为所述闪存控制芯片提供的初始输出电压值；

输出电压值调整子模块，用于根据所述闪存控制芯片的使用时长调整所述初始输出电压，得到需要为所述闪存控制芯片提供的目标输出电压；

升压子模块，用于使用所述目标输出电压为所述闪存控制芯片升压。

应用本发明提供的一种闪存控制芯片，包括辅助升压电路模块，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压，，为闪存控制芯片增加了辅助升压电路，防止闪存控制芯片内部的升压电路失效导致闪存控制芯片失效，增加了闪存控制芯片的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种闪存控制芯片实施例的结构示意图；

图2为本发明一种闪存控制芯片实施例的详细结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种闪存控制芯片，图1示出了本发明闪存控制芯片的结构示意图，包括：

辅助升压电路模块101，辅助升压电路模块，用于根据闪存控制芯片的使用时长调整确定需要提供给所述闪存控制芯片的目标电压值，并根据所述目标电压值使用自身输出电压为闪存控制芯片升压。如图2所示，具体地，所述辅助升压电路模块可包括：

初始输出电压值确定子模块201，用于确定需要为所述闪存控制芯片提供的初始输出电压值；