[发明专利]一种提升取光效率的GaN-LED芯片在审
| 申请号： | 201510717801.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105206729A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;魏振东;刘英策;李小平;黄新茂;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 效率 gan led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升取光效率的GaN-LED芯片，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N-GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。
2.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于各锥形台由P-GaN层、多量子阱层和N-GaN层组成。
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