[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其显示装置在审
申请号: | 201510717251.6 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105185793A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 曹尚操 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于:包括,基板及所述基板上的第一薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路包括输入电极层、输出电极层以及控制电极层,所述控制电极层与所述输出电极层构成升压第一电容,所述控制电极层提供导通电压时,所述输入电极层和输出电极层之间电导通。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述输出电极层和所述控制电极层在所述基板上的投影至少部分重合。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管电路的晶体管为N型MOS晶体管,所述输入电极层为漏极层,所述输出电极层为源极层,所述控制电极层为栅极层,在所述漏极层和源极层之间设有有源层,所述栅极层与所述源极层构成升压第一电容,所述栅极电极层提供导通电压时,所述源极层通过所述有源层与所述漏极层电导通。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述有源层与所述栅极层构成第二电容,所述第二电容与所述第一电容并联。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括位于显示区的第二薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路位于所述显示区之外的非显示区,并且所述第一薄膜晶体管电路的输出电极层连接至所述第二薄膜晶体管电路,提供扫描信号至所述第二薄膜晶体管电路。
6.一种显示装置,其特征在于,包括薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括,基板及所述基板上的第一薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路包括输入电极层、输出电极层以及控制电极层,所述控制电极层与所述输出电极层构成升压第一电容,所述控制电极层提供导通电压时,所述输入电极层和输出电极层之间电导通。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述输出电极层和所述控制电极层在所述基板上的投影至少部分重合。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管电路的晶体管为N型MOS晶体管,所述输入电极层为漏极层,所述输出电极层为源极层,所述控制电极层为栅极层,在所述漏极层和源极层之间设有有源层,所述栅极层与所述源极层构成升压第一电容,所述栅极电极层提供导通电压时,所述源极层通过所述有源层与所述漏极层电导通。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述有源层与所述栅极层构成第二电容,所述第二电容与所述第一电容并联。
10.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括位于显示区的第二薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路位于所述显示区之外的非显示区,并且所述第一薄膜晶体管电路的输出电极层连接至所述第二薄膜晶体管电路,提供扫描信号至所述第二薄膜晶体管电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的