[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其显示装置在审

专利信息
申请号: 201510717251.6 申请日: 2015-10-28
公开(公告)号: CN105185793A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 曹尚操 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G09F9/30
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 显示装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于:包括,基板及所述基板上的第一薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路包括输入电极层、输出电极层以及控制电极层,所述控制电极层与所述输出电极层构成升压第一电容,所述控制电极层提供导通电压时,所述输入电极层和输出电极层之间电导通。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述输出电极层和所述控制电极层在所述基板上的投影至少部分重合。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管电路的晶体管为N型MOS晶体管,所述输入电极层为漏极层,所述输出电极层为源极层,所述控制电极层为栅极层,在所述漏极层和源极层之间设有有源层,所述栅极层与所述源极层构成升压第一电容,所述栅极电极层提供导通电压时,所述源极层通过所述有源层与所述漏极层电导通。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述有源层与所述栅极层构成第二电容,所述第二电容与所述第一电容并联。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括位于显示区的第二薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路位于所述显示区之外的非显示区,并且所述第一薄膜晶体管电路的输出电极层连接至所述第二薄膜晶体管电路,提供扫描信号至所述第二薄膜晶体管电路。

6.一种显示装置,其特征在于,包括薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括,基板及所述基板上的第一薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路包括输入电极层、输出电极层以及控制电极层,所述控制电极层与所述输出电极层构成升压第一电容,所述控制电极层提供导通电压时,所述输入电极层和输出电极层之间电导通。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述输出电极层和所述控制电极层在所述基板上的投影至少部分重合。

8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第一薄膜晶体管电路的晶体管为N型MOS晶体管,所述输入电极层为漏极层,所述输出电极层为源极层,所述控制电极层为栅极层,在所述漏极层和源极层之间设有有源层,所述栅极层与所述源极层构成升压第一电容,所述栅极电极层提供导通电压时,所述源极层通过所述有源层与所述漏极层电导通。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述有源层与所述栅极层构成第二电容,所述第二电容与所述第一电容并联。

10.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括位于显示区的第二薄膜晶体管电路,所述第一薄膜晶体管电路位于所述显示区之外的非显示区,并且所述第一薄膜晶体管电路的输出电极层连接至所述第二薄膜晶体管电路,提供扫描信号至所述第二薄膜晶体管电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510717251.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top