[发明专利]一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构

权利要求书

1.一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构包括以下部分：

(1)有源区和终端区；

(2)有源区和终端区体内没有P型掺杂区；

(3)终端区内至少有一个沟槽用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层。

2.根据权利要求1之(2)所述的P型掺杂区，其特征在于，所述的P型掺杂区可以是由外延形成的或由离子注入后退火激活形成的。

3.根据权利要求1之(3)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是填以导电物质，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合。

4.根据权利要求1之(3)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是其内壁(侧边和底部)填以导电物质，厚度为0.01um至1um，侧边的厚度与底部的厚度可以各自独立选取，沟槽中间填以介质。

5.根据权利要求4所述的沟槽中间填以介质，其特征在于，该介质层物质可以是二氧化硅或氮化硅或Al2O3或TiO2或ZrO2或HfO2或ZnO，NiO或CoOx或CaF或SrF或ZnF等或不同介质层的组合。

6.根据权利要求4所述的沟槽内壁填以导电物质，其特征在于，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合。

7.根据权利要求1之(3)所述的至少有一个沟槽，其特征在于，该沟槽中的导电物质在表面可以连接有场板，也可以不连接有场板。

8.一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构包括以下部分：

(1)有源区和终端区；

(2)有源区和终端区体内没有P型掺杂区；

(3)有源区内至少有一个沟槽用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层；

(4)终端区内至少有一个沟槽用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层。

9.根据权利要求8之(3)和8之(4)所述的沟槽，其特征在于，8之(3)的沟槽和8之(4)的沟槽其结构可以各自独立，可以各自独立选取其结构特征。

10.根据权利要求8之(3)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是填以导电物质，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合，沟槽中的导电物质没有被连接至表面金属，而是悬浮的。

11.根据权利要求8之(3)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是其内壁(侧边和底部)填以导电物质，厚度为0.01um至1um，侧边的厚度与底部的厚度可以各自独立选取，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合，沟槽中间填以介质，沟槽中的导电物质没有被连接至表面金属，而是悬浮的。

12.根据权利要求11所述的沟槽中间填以介质，其特征在于，该介质层物质可以是二氧化硅或氮化硅或Al2O3或TiO2或ZrO2或HfO2或ZnO，NiO或CoOx或CaF或SrF或ZnF等或不同介质层的组合。

13.根据权利要求8之(3)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um 至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，沟槽内壁(侧边和底部)有一介质层物质，厚度为0.01um至1um，侧边的厚度与底部的厚度可以各自独立选取，沟槽中间填以导电物质，沟槽中的导电物质没有被连接至表面金属，而是悬浮的。

14.根据权利要求8之(4)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是填以导电物质，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合。

15.根据权利要求8之(4)所述的沟槽，其特征在于，该沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.5um至4.0um之间，该沟槽可以是其内壁(侧边和底部)填以导电物质，厚度为0.01um至1um，侧边的厚度与底部的厚度可以各自独立选取，该导电物质可以是P型掺杂多晶硅或N型掺杂多晶硅或非掺杂多晶硅或金属或难容金属等或不同导电物质的组合，该导电物质在表面可以连接有场板，也可以不连接有场板；沟槽中间填以介质，该介质层物质可以是二氧化硅或氮化硅或Al2O3或TiO2或ZrO2或HfO2或ZnO，NiO或CoOx或CaF或SrF或ZnF等或不同介质层的组合。