[发明专利]影像传感芯片封装结构及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种影像传感芯片封装结构及其封装方法。

背景技术

目前，晶圆级封装(WaferLevelPackaging)技术是对整片晶圆进行测试封装后再进行切割，得到单个成品芯片的技术，其逐渐取代引线键合封装技术，成为封装的主流技术。

在影像传感器的封装中，也多采用晶圆级封装技术，如图1所示，为现有传统的影像传感器封装结构，该结构包括影像传感芯片10和盖板20，影像传感芯片的第一表面上设置有影像传感区12和焊垫14，盖板20设置在影像传感区12上方，用于保护影像传感区，通常的，盖板20由玻璃基板22和玻璃基板22上的支撑结构24组成，支撑结构24围成空腔，在支撑结构24键合到影像传感区所在的第一表面后，将影像传感区12罩在空腔中，起到保护影像传感区的作用。在第二表面上设置有贯通至焊垫14的导孔以及与导孔电连接的焊接凸点22，从而，实现与外部的电连接，导孔包括通孔中及通孔侧面的第二表面上的绝缘层16、电连线层18和阻焊层22，焊接凸点22形成在导孔侧面的电连线层18上，从而实现外部与焊垫的电连接。

然而，在该结构中，绝缘层16多采用有机材料形成，有机材料形成的绝缘层在通孔的边角处较为薄弱，尤其是对于阶梯形的通孔(图未视出)，容易在边角处产生缺陷。此外，在后续形成电连线层时，需要通过镭射进行绝缘层的开口，开口后绝缘层和衬垫都被击穿，这样，如图1所示，形成的电连线层18与衬垫14侧壁形成电连接，这种连接的接触面积较小，在晶片受力时，容易产生断裂，甚至失效。

发明内容

有鉴于此，本发明的第一方面提供了一种影像传感芯片封装结构，以降低影像传感芯片封装结构的缺陷。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种影像传感芯片封装结构，包括：

影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；

从第二表面贯通至焊垫的通孔；

设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层；

设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层；

电连接于电连线层的焊接凸点；

位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。

可选的，还包括：遮光层，位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。

可选的，所述遮光层的材质为金属。

可选的，所述金属为经过表面黑化处理的Al。

可选的，所述缓冲层的材质为感光胶。

可选的，还包括覆盖电连线层并填充通孔的阻焊层。

可选的，还包括与所述影像传感芯片对位压合的保护盖板。

可选的，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。

可选的，所述缓冲层的厚度范围为5-25微米。

此外，本发明还提供了一种影像传感芯片的封装方法，包括：

提供晶圆，具有多颗阵列排布的影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，影像传感芯片具有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫，所述影像传感区以及焊垫位于第一表面；

提供保护盖板，并将其与所述晶圆对位压合；

从第二表面形成贯通至焊垫的通孔；

在通孔侧壁以及通孔两侧的第二表面上形成钝化层；

在第二表面上的钝化层上形成缓冲层；

形成覆盖通孔内壁及缓冲层的电连线层；

在电连线层上形成与所述电连线层电连接的焊接凸点。

可选的，在形成通孔之前，还包括：在第二表面对应影像传感区的位置形成遮光层。

可选的，形成遮光层的步骤包括：

在第二表面上溅射金属层，并进行刻蚀，以在对应影像传感区的位置形成遮光层。

可选的，所述金属层为Al，在溅射Al的金属层之后，还进行表面黑化处理，而后进行刻蚀。

可选的，在覆盖电连线层之后，形成焊接凸点之前，还包括：

形成阻焊层，并在第二表面上的阻焊层中形成开口；

在开口中形成焊接凸点。

可选的，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。

可选的，在通孔侧壁以及通孔两侧的第二表面上形成钝化层的步骤包括：

沉积钝化层；

刻蚀去除通孔底部的钝化层。

可选的，所述缓冲层的材质为感光胶，在第二表面上的钝化层上形成缓冲层的步骤包括：

在第二表面上旋涂感光胶；