[发明专利]闪烁器面板、放射线检测器及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201510712905.6 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105549062B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 永田康史;长谷川敦 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;G01T1/202;G21K4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪烁 面板 放射线 检测器 它们 制造 方法 | ||
1.一种闪烁器面板，其包括支持体和形成在所述支持体上的闪烁器层，
所述闪烁器层含有荧光体，
所述荧光体为多个柱状晶体，
位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，
所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。
2.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.12～0.22。
3.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.17～0.22。
4.如权利要求1所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y为39.3～44.0％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的闪烁器面板，其中，所述闪烁器层的柱状晶体通过气相沉积法形成。
6.一种放射线检测器，其含有权利要求1～5中任一项所述的闪烁器面板和光电转换元件面板。
7.一种放射线检测器，其包括光电转换元件面板和形成在该光电转换元件面板上的闪烁器层，
所述闪烁器层含有荧光体，
所述荧光体为多个柱状晶体，
位于所述闪烁器层的柱状晶体生长开始面的所述多个柱状晶体的根部彼此以相互独立的形态存在，
所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％。
8.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.12～0.22。
9.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的X射线吸收率x和从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y之比(x/y)为0.17～0.22。
10.如权利要求7所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的从柱状晶体生长开始面至高度5μm的厚度区域的放射线吸收率x为5.4～8.6％，从柱状晶体生长开始面至高度150μm的厚度区域的X射线吸收率y为39.3～44.0％。
11.如权利要求7～10中的任一项所述的放射线检测器，其中，所述闪烁器层的柱状晶体通过气相沉积法形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柯尼卡美能达株式会社，未经柯尼卡美能达株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510712905.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
