[发明专利]基于电致折射率改变的3D显示方法

权利要求书

1.一种基于电致折射率改变的3D显示方法，该方法包括：

在二维显示屏前端设置平板状的透明电光晶体阵列，所述电光晶体阵列由与二维显示屏像素点相同数量的方柱状的电光晶体组成，每个电光晶体的与显示屏平行的截面与二维显示屏像素点的大小相同，且各电光晶体与二维显示屏像素点相正对，通过一控制模块向电光晶体施加与该电光晶体相正对像素点的景深相对应的电压；各电光晶体外包覆有一层透明的绝缘薄膜，以防止电光晶体的导电性能对电极的影响；所述各电光晶体为横向电光效应晶体，所述控制模块与向电光晶体施加电压的电极电性连接，所述电极相对设置电光晶体的两侧，设置在电光晶体两侧的电极与电光晶体阵列垂直，且设置在电光晶体两侧的两电极相互平行；横向相邻的电光晶体之间共用一电极，纵向相邻的电光晶体之间分布有连接电极和控制模块的透明导线，导线与电极垂直。

2.根据权利要求1所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，其特征在于，该方法进一步包括：

获取所显示3D图像各像素点的景深数据；

计算向电光晶体施加的与该电光晶体相正对的像素点的景深成反比的电压；

计算位于两电光晶体之间的电极的电量大小；

通过控制模块向两电光晶体之间的电极施加相应的电量。

3.根据权利要求1或2所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，其特征在于，与该电光晶体相正对的像素点的景深与各电光晶体施加的电压的一次方成反比。

4.根据权利要求3所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，其特征在于，所述电光晶体为钽铌酸锂或钽铌酸钾。

5.根据权利要求3所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，所述电极和导线材料为ZnO。

6.根据权利要求3所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，其特征在于，所述透明电光晶体阵列的厚度为1mm～1m。

7.根据权利要求3所述的基于电致折射率改变的3D显示方法，其特征在于，所还二维显示屏为液晶显示屏。