[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法有效
| 申请号： | 201510707870.7 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105374665B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 谭俊;高剑琴;周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 外延 锗硅层 盖帽 制作方法 | ||
1.一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；
在所述外延锗硅层的外部利用混合硅源制作一层包覆所述外延锗层的盖帽层，所述混合硅源中至少包括二氯二氢硅以及另外一种硅源，且所述盖帽层制作过程中利用选择性刻蚀气体进行；
对所述盖帽层进行硅注入工艺；
对注入后的盖帽层进行退火工艺；
对退火后的盖帽层进行镍硅化工艺。
2.如权利要求1所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述混合硅源包括二氯二氢硅和硅烷。
3.如权利要求2所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述混合硅源为二氯二氢硅和硅烷的混合，其中二氯二氢硅和硅烷的流量比例为2:1-5:1。
4.如权利要求2所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述选择性刻蚀气体为氯化氢气体。
5.如权利要求4所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述氯化氢气体的流量范围为70-200sccm。
6.如权利要求2所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述盖帽层的制作时间范围为200-1000秒，反应温度为600-660摄氏度。
7.如权利要求1所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述硅注入的能量范围为1-10KeV,注入剂量范围为1.00E14-9.99E15。
8.如权利要求1所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述退火为尖峰退火、激光退火或闪光退火。
9.如权利要求8所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述尖峰退火的温度范围为800-1200摄氏度，时间范围为1-5秒；所述激光退火的温度范围为800-1300摄氏度，时间范围为1-60毫秒；所述闪光退火的温度范围为800-1300摄氏度，时间范围为1-60毫秒。
10.如权利要求1所述的嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，其特征在于，所述盖帽层的厚度范围为50-400埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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