[发明专利]像素电极及阵列基板在审

专利信息
申请号: 201510706723.8 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105158995A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 郭晋波 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 张文娟;朱绘
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 电极 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种像素电极及阵列基板。

背景技术

VA型液晶显示器以其大视野角、高对比度以及无须摩擦配向等优势,成为大尺寸TV用液晶显示设备的常见显示模式。VA型液晶显示器一般采用多畴结构来改善色偏,因此使液晶分子可靠并稳定的配向是VA型液晶显示器能够正确显示画面的基础。目前,液晶分子的配向主要利用电场与经过特殊设计的像素电极之间的相互配合来实现。

图1为现有技术中一种普遍使用的VA型液晶显示器的像素电极的结构示意图。如图所示,该像素电极由十字形的躯干电极以及以一定角度与躯干电极相交的多条分支电极组成。躯干电极位于像素电极的中间位置,主要用于连接各分支电极,且躯干电极的宽度一般大于分支电极的宽度以保证结构的稳固。对该像素电极施加一定的灰阶电压后,液晶分子将在电场和像素电极的共同作用下沿各分支电极的方向,从像素电极的外围向指向像素电极的中心的方向偏转。由于像素电极上的各分支电极方向不同,因而可以形成不同的显示畴。

但具有上述结构的像素电极的液晶显示器在显示画面时会出现暗纹。这是由于位于躯干电极处的液晶分子的偏转角度与上、下偏光片的偏转角度相同,因此躯干电极处的穿透率为0,进而在躯干电极周围区域出现暗纹,影响液晶显示器的显示效果。特别是采用曲面显示时,由于弯曲造成的上下基板错位,将导致暗纹变宽,像素单元的穿透率降低,宏观上表现为液晶显示屏上的某些区域出现暗团,画质下降。

综上,亟需对像素电极的结构进行改进以减少暗纹的产生。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是对像素电极的结构进行改进以减少暗纹的产生。

为了解决上述技术问题,本申请的实施例首先提供了一种像素电极,划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。

优选地,沿水平方向的躯干电极设置于各配向区域之间的交界处。

优选地,设置于各配向区域之间的交界处的躯干电极不多于两个。

优选地,四个配向区域沿垂直方向排列。

优选地,沿垂直方向的第一个配向区域与第二个配向区域的分支电极,以及第三个配向区域与第四个配向区域的的分支电极分别呈K形。

优选地,躯干电极的宽度沿所述躯干电极的长度方向逐渐减小。

优选地,分支电极以等间距相互平行设置。

本申请的实施例还提供了一种阵列基板,排列有多个像素单元,每个像素单元内设置有一个像素电极,所述像素电极划分为四个配向区域,且每个配向区域包括两个垂直相交的躯干电极及多个分支电极:躯干电极,分别沿水平方向与垂直方向设置,且沿垂直方向的所述躯干电极位于各配向区域的独立的边缘处;分支电极,从所述躯干电极的垂直相交处呈放射状延伸;其中,在所述躯干电极的垂直相交处各躯干电极的宽度具有最大值。

优选地,所述躯干电极的宽度沿所述躯干电极的长度方向逐渐减小。

优选地,当一沿水平方向的躯干电极的两端分别与沿垂直方向的躯干电极连接时,该沿水平方向的所述躯干电极的宽度在与沿垂直方向的所述躯干电极连接的位置较大,且该沿水平方向的所述躯干电极的宽度分别从两端向中间处逐渐减小。

与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:

通过将躯干电极优先设置于像素电极的边缘并适当增大躯干电极在垂直相交处的尺寸,显著地减少了像素单元内部的暗纹区域的面积,进而提升了像素的穿透率,有利于改善显示的画质。

本发明的其他优点、目标,和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书,权利要求书,以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分。其中,表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,但并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为现有技术的VA型液晶显示器的像素电极的结构示意图;

图2a-图2d为本申请实施例的像素电极的结构示意图;

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