[发明专利]气相生长装置以及气相生长方法

说明书

技术领域

本发明涉及供给气体并进行成膜的气相生长装置以及气相生长方法。

背景技术

作为成膜高品质的半导体膜的方法，具有通过气相生长使单结晶膜生 长于晶片等基板的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中， 将晶片载置于被保持成常压或者减压后的反应室内的支承部上。并且，一 边加热该晶片，一边将成为成膜的原料的源气体等过程气体(processgas) 从反应室上部供给到晶片表面。在晶片表面产生源气体的热反应等，在晶 片表面成膜出外延单结晶膜。

在外延单结晶膜的成膜中，生产率的提高成为课题。在JPH11－29392 中记载有外延生长装置，该外延生长装置为了提高生产率，设置有对在反 应室进行处理后的基板进行冷却的冷却室。

发明内容

本发明提供一种能够提高生产率的气相生长装置以及气相生长方法。

本发明的一方式的气相生长装置，其特征在于，具备：n(n为1以上 的整数)个反应室，在小于大气压的压力下分别处理基板；盒(cassette) 室，具有能够设置用于保持上述基板的盒的盒保持部，该盒室能够减压至 小于大气压的压力；搬送室，设置于上述反应室与上述盒室之间，在小于 大气压的压力下搬送上述基板；以及基板待机部，能够同时保持n片以上 的在上述反应室中被进行处理后的上述基板，该基板待机部的耐热温度为 500℃以上，且设置于能够减压至小于大气压的压力的区域。

本发明的一方式的气相生长方法，其特征在于，将用于保持多个基板 的盒设置于在盒室设置的盒保持部，将上述盒室减压至小于大气压的压力， 将上述基板从上述盒室搬送到小于大气压的压力的搬送室，将上述基板从 上述搬送室搬送到从被调整为小于大气压的压力后的n(n为1以上的整数) 个反应室中选择出的反应室，将上述基板在上述选择出的反应室内加热到 500℃以上，并且，向上述选择出的反应室供给过程气体并对上述基板成膜， 将上述基板从上述选择出的反应室搬送到小于大气压的压力的上述搬送 室，将上述基板从上述搬送室向小于大气压的压力下的耐热温度为500℃以 上的基板待机部搬送，在上述基板的温度降低到小于100℃后，将上述基板 从上述基板待机部取出并向上述盒收纳。

附图说明

图1是第一实施方式的气相生长装置的俯视示意图。

图2是第一实施方式的气相生长装置的剖面示意图。

图3是第二实施方式的气相生长装置的俯视示意图。

图4是第三实施方式的气相生长装置的俯视示意图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

另外，在本说明书中，将气相生长装置被设置成能够成膜的状态下的重 力方向定义成“下”，将其相反方向定义成“上”。所以，所谓“下部”意 味着对于基准而言重力方向的位置，所谓“下方”意味着对于基准而言重力 方向。并且，所谓“上部”意味着对于基准而言与重力方向相反方向的位置， 所谓“上方”意味着对于基准而言与重力方向相反方向。另外，所谓“纵向” 是重力方向。

另外，本说明书中，所谓“耐热温度”意味着成为对象的材料在不受力 的状态下不变形变质且保持其功能的温度。例如，为聚丙烯(PP)树脂时， 是100℃～140℃左右。另外，例如，为石英玻璃时，是1000℃左右。另外， 为碳化硅时，是1600℃以上。

另外，本说明书中，所谓“过程气体”是为了向基板上的成膜所使用的 气体的总称，例如，设成包括源气体、运载气体、分离气体等在内的概念。

另外，本说明书中，所谓“分离气体”是向气相生长装置的反应室内导 入的过程气体，是使多个原料气体的过程气体间进行分离的气体的总称。

(第一实施方式)

本实施方式的气相生长装置具备：n(n为1以上的整数)个反应室， 在小于大气压的压力下分别处理基板；盒室，具有能够设置用于保持基板的 盒的盒保持部，该盒室能够减压至小于大气压的压力；搬送室，设置于反应 室与盒室之间，基板在小于大气压的压力下被搬送；以及基板待机部，能够 将在反应室被处理后的基板同时保持n片以上，该基板待机部的耐热温度为 500℃以上，且设置于能够减压至小于大气压的压力的区域。