[发明专利]阳极场辅磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 201510704469.8 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105200381B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阳极 磁控溅射靶 磁控溅射镀膜装置 水冷 电源 等离子体均匀性 物理气相沉积 供电 闭环结构 真空腔体 工件盘 真空腔 等高 离化 腔体 体内 复合 | ||
【权利要求书】：
1.一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置，包括真空腔体、工件盘（4）和至少两个由电源Ⅰ（3）供电的磁控溅射靶（1），其特征在于在相邻的磁控溅射靶（1）之间设有由电源Ⅱ（5）供电的水冷阳极（2），在真空腔体内形成闭环结构；所述阳极（2）是带进气水冷的铜板结构。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述磁控溅射靶（1）为矩形或旋转柱靶。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述磁控溅射靶（1）为金属或非金属靶。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述电源Ⅰ（3）为直流、直流脉冲、中频、射频或高功率脉冲电源。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述电源Ⅱ（5）是偏压电源或电压为50-500V的直流正电压。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述阳极（2）与磁控溅射靶（1）等高布置。
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