[发明专利]曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板

权利要求书

1.一种曝光工艺的检验方法，用于检验曝光机挡光片的开口大小，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括曝光单元区；

提供测试掩膜板，所述测试掩膜板上形成有测试图形，所述测试图形包括第一测试图形和第二测试图形，所述第一测试图形包括不透光区以及位于所述不透光区中的透光图形，所述第二测试图形包括透光区以及位于所述透光区中的不透光图形；

采用曝光机对所述测试掩膜板上的所述第一测试图形进行第一曝光，在所述晶圆的曝光单元区内形成位于非曝光区的第一对准图形；

第一曝光后采用曝光机对所述测试掩膜板上的所述第二测试图形进行第二曝光，在所述晶圆的曝光单元区内形成位于曝光区且与所述第一对准图形相邻的第二对准图形，所述第二对准图形和第一对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定；

采用曝光机对所述晶圆曝光单元区内的第一对准图形和第二对准图形进行对准测试，通过是否能检测到所述第一对准图形和第二对准图形判断曝光机挡光片的开口大小是否在允许偏差范围之内；

所述挡光片的允许偏差范围指的是：采用曝光机对测试掩膜板进行曝光后，在不影响在晶圆上形成的图形质量的情况下，所述挡光片的开口大小的最大值和最小值之间的范围值。

2.权利要求1所述的曝光工艺的检验方法，其特征在于，在所述第二曝光的步骤中，所述第二对准图形和第一对准图形之间的距离包括：第二对准图形靠近第一对准图形的边缘与第一对准图形靠近第二对准图形的边缘之间的第一间距；以及第二对准图形与曝光区靠近第一对准图形一侧的边缘之间的第二间距。

3.权利要求2所述的曝光工艺的检验方法，其特征在于，所述第二对准图形和第一对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定，包括：

设定挡光片沿一方向的允许偏差范围；

以所述允许偏差范围获得所述方向的检验可偏差范围；

以所述检验可偏差范围获得所述第二对准图形和第一对准图形之间的距离；

所述检验可偏差范围下限值与所述允许偏差下限值的比值在85％至95％范围内，所述检验可偏差上限值与所述允许偏差上限值的比值在85％至95％范围内。

4.权利要求3所述的曝光工艺的检验方法，其特征在于，所述允许偏差范围包括允许偏差下限值和允许偏差上限值；

基于所述允许偏差下限值和允许偏差上限值分别获得检验可偏差范围下限值和检验可偏差上限值，所述检验可偏差范围下限值与所述允许偏差下限值的比值在85％至95％范围内，所述检验可偏差上限值与所述允许偏差上限值的比值在85％至95％范围内；

以所述检验可偏差上限值和检验可偏差范围下限值之和作为所述第一间距，以所述检验可偏差范围下限值作为所述第二间距。

5.如权利要求1所述的曝光工艺的检验方法，其特征在于，通过是否能检测到所述第一对准图形和第二对准图形判断曝光机挡光片的开口大小是否在允许偏差范围之内的步骤包括：

如果检测不到第一对准图形，则判断挡光片的开口过大；

如果检测不到第二对准图形，则判断挡光片的开口过小。

6.如权利要求1所述的曝光工艺的检验方法，其特征在于，所述曝光单元区的数量为多个，进行第一曝光的步骤包括：在所述晶圆的多个曝光单元区中分别形成位于非曝光区的第一对准图形；

进行第二曝光的步骤包括：在晶圆的多个曝光区中分别形成位于曝光区且与所述第一对准图形相邻的第二对准图形；

位于不同曝光单元区的第二对准图形与第一对准图形的距离不同，所述距离根据挡光片的不同允许偏差范围而定。