[发明专利]一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件在审
| 申请号： | 201510703267.1 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105158849A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王定理;傅力;李林松;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122;G02B1/115 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 李振文 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂光 波导 器件 制作方法 及其 | ||
1.一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的第一介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在所述掩模窗口内的铌酸锂基片上表面上制作光波导；为所述光波导制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面分别进行切割，在所述光输入端面和光输出端面分别制作增透作用的第二介质膜。
2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：在对铌酸锂基片光输入端面和光输出端面进行切割后进一步进行端面抛光处理。
3.根据权利要求1或2所述的一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：所述介质膜采用下组中至少之一方法来制作：溅射方法、电子束蒸发方法、化学气相沉积方法。
4.根据权利要求1或2所述的一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：所述铌酸锂基片上表面制作光波导的方法采用退火质子交换方法。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：所述介质膜包括多层增透膜。
6.一种铌酸锂光波导器件，包括铌酸锂基片(1)、光波导(2)、金属电极(3)，其特征在于：所述铌酸锂基片(1)的上表面和下表面设置有增透作用的第一介质膜，所述铌酸锂基片(1)的光输入端面和光输出端面上均设置有增透作用的第二介质膜。
7.根据权利要求6所述的一种铌酸锂光波导器件，其特征在于：所述第一介质膜采用第一SiO2增透膜(4)，所述第二介质膜采用第二SiO2增透膜(5)。
8.根据权利要求7所述的一种铌酸锂光波导器件，其特征在于：所述第一SiO2增透膜(4)、第二SiO2增透膜(5)是单层介质膜；当所述铌酸锂光波导器件用于1310nm波段时，所述第一SiO2增透膜和第二SiO2增透膜的厚度均设置于140nm至310nm范围内，优选为225nm；当所述铌酸锂光波导器件用于1550nm波段时，所述第一SiO2增透膜和第二SiO2增透膜的厚度均设置于160nm至360nm范围内，优选为267nm。
9.根据权利要求7所述的一种铌酸锂光波导器件，其特征在于：所述所述第一介质膜、第二介质膜是多层介质膜。
10.根据权利要求9所述的一种铌酸锂光波导器件，其特征在于：所述第一介质膜、第二介质膜均为折射率1.45的SiO2增透膜和折射率为1.38的MgF2增透膜组成的双层介质膜；当所述铌酸锂光波导器件用于1310nm波段时，所述SiO2增透膜的厚度设置于140nm至210nm范围内，优选为177nm，所述MgF2增透膜的厚度设置于50nm至70nm范围内，优选为59nm；当所述铌酸锂光波导器件用于1550nm波段时，所述SiO2增透膜的厚度设置于160nm至240nm范围内，优选为200nm，所述MgF2增透膜的厚度设置于60nm至100nm范围内，优选为80nm。
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