[发明专利]一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法在审
| 申请号： | 201510701570.8 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105225833A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;刘如;苏桦;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F10/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 薄膜 噪声 抑制器 带宽 调制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，包括以下步骤：
步骤1：采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；
采用薄膜沉积工艺沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜时，所述外磁场H1的方向沿膜面，大小在50Oe～300Oe之间；所得的[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜由于铁磁层与反铁磁层之间的钉扎作用，会产生沿外磁场H1方向的交换偏置场Hex1；
步骤2：对步骤1得到的交换耦合多层膜施加外磁场作用，所述施加的外磁场H2的大小为大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与步骤1所述交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反；同时，在所述交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。
2.根据权利要求1所述的磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，其特征在于，步骤1所述基片为Si基片、玻璃基片；所述铁磁层材料为Ni、Fe、Co或Ni/Fe/Co的合金；所述反铁磁层材料为FeMn、NiMn、IrMn、PtMn。
3.根据权利要求1所述的磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，其特征在于，步骤2所述施加的脉冲电流的电流密度大于106A/cm2，作用时间为10～100ms。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510701570.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二维可变电容器
- 下一篇：一种电源适配器的高频变压器绕制方法
