[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201510701178.3 | 申请日: | 2015-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN105552083B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | 梁容豪;金得钟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 有机 发光 显示装置 | ||
本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板和有机发光显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括驱动TFT、存储电容器、第一导线、第一层间绝缘膜、第二层间绝缘膜和第二导线。存储电容器具有被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极。第一导线在驱动栅电极的同一层上。第一层间绝缘膜覆盖第一电极和第一导线。第二层间绝缘膜在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口。第二导线在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线。第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
相关申请的交叉引用
2014年10月27日递交的名称为“薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置”的韩国专利申请No.10-2014-0146421通过引用被整体合并于此。
技术领域
本文描述的一个或多个实施例涉及薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置使用有机发光二极管(OLED)生成图像。每个OLED包括位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。当来自空穴注入电极的空穴和来自电子注入电极的电子在有机发射层中复合时,激子被形成。当激子从激发态变化到基态时发射光。
因此,有机发光显示器是自发光型的显示装置,因此不使用诸如背光的单独光源。有机发光显示装置可以以低电压驱动,相对薄,重量轻,并具有高品质的特性,如宽视角、高对比度和快速响应速度。
发明内容
根据一个或多个实施例,薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:在基板上的驱动TFT;存储电容器,包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极;与驱动栅电极在同一层上的第一导线;覆盖第一电极和第一导线的第一层间绝缘膜;在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜;以及在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线,其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第二层间绝缘膜的厚度可以比第一层间绝缘膜的厚度大大约2倍至5倍。第二层间绝缘膜的介电常数可以小于第一层间绝缘膜的介电常数。
第一层间绝缘膜可以包括无机材料,并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动栅电极和第一电极可以在同一层上被一体地形成为一个主体。驱动TFT可以包括在驱动栅电极下方并通过第一栅绝缘膜与所述驱动栅电极绝缘的驱动半导体层,其中驱动半导体层是曲线形的。第二导线可以是向驱动TFT供给电压并从第二电极延伸的驱动电压线。
根据一个或多个其它实施例,薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:基板上的驱动TFT和开关TFT;存储电容器,包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极;覆盖第一电极和开关TFT的开关栅电极的第一层间绝缘膜;以及在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜,其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第一层间绝缘膜可以包括无机材料,并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动TFT和存储电容器可以至少部分地彼此重叠。
TFT阵列基板可以包括:与驱动栅电极在同一层上的第一导线;在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线;在第二层间绝缘膜上并被连接到开关TFT的接触金属;包括被连接到用于驱动驱动TFT和开关TFT的驱动集成电路的至少一个焊盘的焊盘区;以及包括在焊盘区和驱动TFT之间的密封材料的密封区,其中密封区中不包含第二层间绝缘膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





