[发明专利]一种互连导电模块及太阳能电池片在审
| 申请号: | 201510701125.1 | 申请日: | 2015-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN105244400A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
| 发明(设计)人: | 武宇涛 | 申请(专利权)人: | 苏州光新向远能源技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 王华 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 互连 导电 模块 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种互连导电模块及太阳能电池片,属于光伏发电技术领域。
背景技术
常规的光伏组件由光伏电池单元、导电互联结构及各种封装材料构成。
光伏电池单元,即标准尺寸(通常5吋、6吋大小)的独立发电单元,从原始的裸硅片,由电池片制造厂经过多道复杂的工艺制备而成,最后在其上下表面制备金属化的电极结构,该金属化的电极结构可以将电池单元表面产生的载流子收集并汇集起来,并且分别由起收集和汇集作用的不同的金属化电极结构相应地来实现。比如,对于常规的P型晶体硅电池片而言,其正面电极结构包括指栅线和主栅线,指栅线起收集电池的作用,主栅线可以汇集来自指栅线的电流,而背面电极则只有类似于正面主栅线的结构。
独立的光伏电池单元,由于功率太小,还不能直接用于现实生活或工程,必须经过封装环节,将若干数量的电池单元串联成具有比较可观功率的电池组件,通常由30-80块电池单元串联封装而成,一般而言,这样的组件功率可达100W、200W、300W等不同标准等级。光伏电池组件在户外应用的时候,必须要承受温度、湿度、冲击等外部环境的作用,所以光伏组件一般由防水、防潮、防冲击力的背板材料、胶粘材料和玻璃封装而成。
导电互联材料,用来实现电池单元的串联扩大,一般是镀锡铜扁带。在具体的封装工艺过程中,即串焊过程中,由铜扁焊带将电池上下表面的汇流电极依次串联,从而形成更大规模的电池串。目前规的具有上下金属化电极的光伏电池结构,尤其是各种晶体硅电池,基本上都是采用这种传统的串接工艺。
需要指出的是,光伏电池单元的上下表面的金属化电极结构、导电互联材料的结构形式及封装工艺过程,这三者是密切相关的,直接影响着光伏电池及组件的生产速率、生产稳定性、生产成本及发电功率。比如,对于电池单元来讲,目前常规的正面主栅线数量为三根或四根,同时实验表明,更多数量的主栅线(比如10根或更多)可以减少电池的传输距离,从而减少光生电流在传输方面的功率损失,可以提高电池的单元光电转换效率,但是前提是不会造成更多的主栅线造成的光学遮挡损失;对于目前的导电互联材料(即铜扁焊带),一般宽度1.0mm-2mm,主要应用于三栅或四栅电池,如果电池单元主栅线数量大幅增加,就要求铜扁焊带宽度也要相应地大幅减少,否则过大的遮挡损失甚至会超过增加的栅线数量带来的增益,实际上,在现实生产中,扁焊带不可能做得太窄,不然会大幅影响其强度和支撑性,以及造成定位对准的困难,同时设备的复杂程度也大幅提升。
在申请号为201410083983.X和CN201410587635.6的中国发明专利申请中提到了一种隐形金属化封装工艺(SMP,stealthmetallizationpackageing),即使用横截面为三角形的反光电极或非金属反射器,将照射到主栅线或互联条上的光线反射到电池表面有效区域,挽回本来由主栅线造成的光学遮挡损失;这种技术可以非常有效地解决主栅线焊带遮挡的问题,以及更多的主栅线数量会造成更大的光伏遮挡的问题。但是同时,随着主栅线数量的增加,就需要在其表面焊接或粘接更多数量的SMP电极,极大地影响了生产速度的提高。
所以,无论是常规的扁焊带焊接封装工艺还是隐形金属化的封装工艺,都需要寻找一种有效的方案,可以有效地解决更大多主栅线电池单元的串焊时所遇到的关于生产制造成本、生产速率以及工艺复杂性的这个综合问题。
本发明旨在通过对各种导电互联材料结构形式,电池结构及工艺过程的综合优化来有效地解决上述问题。
发明内容
本发明目的是提供一种互连导电模块及太阳能电池片。
为达到上述目的,本发明采用的第一种技术方案是:一种互连导电模块,所述互连导电模块包括若干条间隔设置的基体导电材料,所述基体导电材料之间固定连接有连接段。
优选的技术方案为:所述基体导电材料为焊带。
优选的技术方案为:所述焊带为镀锡的铜扁焊带、不镀锡的铜扁焊带或者三角反光焊带。
优选的技术方案为:所述基体导电材料和连接段之间通过焊接固定。
优选的技术方案为:所述基体导电材料中心线之间的间距为3~75毫米。
优选的技术方案为:所述基体导电材料和连接段之间通过粘结固定。
优选的技术方案为:所述基体导电材料和连接段一体成型。
优选的技术方案为:所述基体导电材料的数量为2~50个。
优选的技术方案为:所述基体导电材料的长度为5~150毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





