[发明专利]一种有机硅无溶剂浸渍树脂及其合成方法

权利要求书

1.一种有机硅无溶剂浸渍树脂，其特征在于其结构如式（I）所示：

式（I），

其中，R₁，R₂，R₃，…，R_i，…，R_n，分别选自甲基、苯基、甲氧基、乙氧基、羟基中的一种；波浪线表示-Si-O-分子链的延续或省略，且在-Si-O-分子链上，Si上剩余键被R₁至R_n中的基团所充满。

2.权利要求1所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）有机硅树脂预聚物的合成按甲基：苯基：硅乙烯基团：硅氢基团的摩尔比为（30～70）：（10～30）：（5～20）：（5～20）计，取相应的硅乙烯基单体和硅氢单体混合，滴加到5℃～60℃的水和甲苯的混合溶剂中进行共水解缩聚3~5小时，然后在80℃～140℃进行浓缩，然后抽除溶剂和低沸物，即得到有机硅预聚物；

（2）复配浸渍树脂将步骤（1）所得有机硅预聚物混入有机硅预聚物总质量的0.01%～0.1%的铂催化剂和有机硅预聚物总质量的0.01%～0.2%的抑制剂，搅拌20min~60min后得到产品，即有机硅无溶剂浸渍树脂。

3.根据权利要求2所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：步骤（1）中还可以加入除硅乙烯基单体和硅氢单体外的单体，具体为二甲基二氯硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、二苯基二氯硅烷、一苯基三氯硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、甲基苯基二氯硅烷、三甲基氯硅烷或六甲基二硅氧烷单体中的一种或两种以上。

4.根据权利要求2或3所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：所述硅乙烯基单体为甲基乙烯基二氯硅烷、甲基乙烯基二甲氧基或二甲基乙烯基甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种以上。

5.根据权利要求4所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：所述硅氢单体为甲基氢二氯硅烷、甲基氢二乙氧基硅烷、二甲基氢乙氧基硅烷中的一种或两种以上。

6.根据权利要求4所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：所述铂催化剂为配体异丙醇、乙烯基双封头、乙烯基环四硅氧烷或对苯二甲酸乙二酯与氯铂酸配位得到的铂催化剂。

7.根据权利要求4所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：所述抑制剂为含碳碳双键或碳碳三键、或含N或P或S元素的化合物。

8.根据权利要求4所述的有机硅无溶剂浸渍树脂的合成方法，其特征在于：所述抑制剂为乙烯基环已醇、二甲基己炔醇、3-甲基丁炔醇、乙炔基环已醇、N,N-二甲基乙酰胺、丁二酮肟、二乙酰基吡啶、六甲基二硅氮烷、三苯基磷、亚磷酸三乙酯、硫代乙酸乙酯、双-[γ-(三乙氧基硅)丙基]-四硫化物或乙硫醚中的一种或两种以上。