[发明专利]一种氢化钛的表面处理方法有效

专利信息
申请号: 201510699774.2 申请日: 2015-10-26
公开(公告)号: CN105316514B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 左孝青;蒋玉圆;陆建生;周芸;罗晓旭 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C22C1/08 分类号: C22C1/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 氧化处理 包覆 表面原位生成 多孔金属材料 氧化物表面 化学包覆 均匀致密 颗粒表面 非均匀 复合层 氢化钛 有效地 氧化物 成膜 形核 分解
【说明书】:

发明公开一种TiH2表面处理的方法,属于多孔金属材料技术领域。本发明所述方法采用氧化处理与化学包覆相结合的方法,先对TiH2颗粒进行氧化处理,在其表面原位生成一层Ti的氧化物,然后采用非均匀形核成膜包覆法在Ti的氧化物表面进行SiO2包覆。本发明所述方法得到的TiH2颗粒表面复合层均匀致密,更有效地推迟了TiH2的开始分解时间。

技术领域

本发明涉及一种TiH2表面处理的方法,具体涉及一种延缓TiH2释氢性能的表面处理方法,属于多孔金属材料技术领域。

背景技术

泡沫铝是一种兼具结构与功能双重属性的新型材料,其制备方法有粉末冶金法、熔体发泡法、铸造法、电沉积法、金属-气体共晶定向凝固法等,其中熔体发泡法是制备泡沫铝较为理想的方法,而发泡剂是用此方法制备孔结构均匀的泡沫铝的基础。TiH2是熔体发泡法制备泡沫铝常用的发泡剂,未经表面处理的TiH2分解温度(450℃)低于铝及铝合金熔体的发泡温度(600~690℃),由于温度的失配,限制了TiH2在熔体中分散的均匀性。TiH2在熔体中分散的均匀性与其分散时间密切相关,分散时间太短,TiH2在熔体中分散不均匀,所制备的泡沫铝孔结构的均匀性差,对其性能产生极大的不良影响。

对TiH2表面进行处理延缓其开始分解时间(即在一定温度下,TiH2不分解的时间)。图2为经表面处理后TiH2的等温分解曲线示意图,大约100s时TiH2开始分解,即TiH2的开始分解时间为100s,此时间段可用于发泡剂的分散,故又称TiH2的分散时间。

分散时间越长,TiH2在熔体中分散得越均匀,所制备的泡沫铝材料孔隙越均匀。TiH2表面处理的方法主要有机械研磨、氧化处理、化学包覆,但使用单一处理方法对TiH2释氢性能的改善作用有限,难以满足工业生产的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TiH2表面处理的方法,将氧化处理和化学包覆相结合,通过氧化处理在TiH2表面原位生成一层Ti的氧化物,再在其表面以非均匀形核成膜方式包覆SiO2层,最终在TiH2表面获得Ti的氧化物层及SiO2层的复合层;本发明所需设备简单,易于操作,相对于单一处理方法能更有效地改善TiH2的释氢性能。

本发明TiH2表面处理的方法具体包括以下步骤:

(1)氧化处理

将TiH2颗粒放入电炉中进行氧化处理,氧化处理过程中每隔20~40mim搅拌一次;

(2)化学包覆

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