[发明专利]一种用于高温条件下振动传感器起振元件及其制备方法有效
申请号: | 201510697763.0 | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105258788B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 唐飞;马大蔚;王晓浩 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01H17/00 | 分类号: | G01H17/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 高温 条件下 振动 传感器 元件 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于高温条件下振动传感器起振元件的制备方法,该起振元件包括起振元件支架(1)、悬臂梁和起振质量块(3);所述悬臂梁采用双悬臂折叠梁(2),双悬臂折叠梁(2)是由两个单悬臂折叠梁组成,两个单悬臂折叠梁以起振质量块(3)为中心成对称布置;每个单悬臂折叠梁的一端分别连接起振质量块(3),另一端分别连接起振元件支架(1);起振质量块(3)布置在起振元件支架(1)的中心位置;起振质量块与双悬臂折叠梁(2)之间留有间隙;双悬臂折叠梁(2)的厚度小于或者等于起振质量块(3)的厚度;
其特征在于所述制备方法包括如下步骤:
1)对厚度为20μm至2000μm的耐高温晶片进行氧气清洗;
2)对清洗之后的晶片进行金属溅射工艺,依次溅射一层金属铬和金;
3)对溅射金属后的晶片涂光刻胶,采用光刻和湿法腐蚀工艺,完成图形化处理;
4)对图形化后的晶片进行电镀金属镍工艺,形成金属镍的掩膜;
5)对电镀金属镍之后的晶片进行离子刻蚀工艺,刻蚀区域为起振元件支架(1)、双悬臂折叠梁(2)和起振质量块(3)之间的间隙部位,刻蚀深度大于双悬臂折叠梁(2)的厚度值,形成起振元件基体;
6 )对起振元件基体再次进行金属溅射工艺,溅射一层金属铬和金;
7 )对溅射金属后的起振元件基体涂光刻胶,采用光刻和湿法腐蚀工艺,完成图形化处理;
8 )对图形化后的起振元件基体进行电镀金属镍工艺,形成金属镍的掩膜;
9 )对电镀金属镍之后的起振元件基体进行离子刻蚀工艺,刻蚀区域为间隙部位和双悬臂折叠梁(2),刻蚀深度为起振质量块(3)与双悬臂折叠梁(2)的厚度差的值,形成振动传感器起振元件。
2.如权利要求1所述的一种用于高温条件下振动传感器起振元件的制备方法,其特征在于:所述耐高温晶片的材料为碳化硅、氮化铝或石墨烯。
3.如权利要求1或2所述的一种用于高温条件下振动传感器起振元件的制备方法,其特征在于:所述双悬臂折叠梁(2)的宽度范围为10μm至1000μm,双悬臂折叠梁(2)与起振质量块(3)之间的间隙为10μm至1000μm,起振质量块(3)的厚度为20μm至2000μm。
4.如权利要求1或2所述的一种用于高温条件下振动传感器起振元件的制备方法,其特征在于:所述起振元件支架(1)为正多边形或圆形,起振质量块(3)为正多边形或圆形。
5.如权利要求4所述的一种用于高温条件下振动传感器起振元件的制备方法,其特征在于:所述正多边形为正方形,每个单悬臂折叠梁的折叠角度为90度。
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