[发明专利]高质量碳纳米管透明导电膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于包括透明衬底和位于透明衬底上的复合导电膜，所述复合导电膜包括导电网格以及与所述导电网格电性结合的碳纳米管层。

2.根据权利要求1所述的高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于所述导电网格的厚度为0.02～20μm，网格间线距为5～1000μm。

3.根据权利要求1或2所述的高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于：

用以形成所述导电网格的经线和/或纬线的线宽为1～5μm；

优选的，用以形成所述导电网格的经线和/或纬线的线宽＜2μm。

4.根据权利要求1或2所述的高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于所述导电网格的材料包括金属材料和/或半导体材料，所述金属材料包括金、银、铜、铝、镍、钛中的任一种或两种以上的组合，所述半导体材料包括半导体氧化物。

5.根据权利要求1所述的高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于所述碳纳米管层的厚度为2nm～2μm，所述碳纳米管包括单壁、双壁、多壁碳纳米管中的任一种或两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的高质量碳纳米管透明导电膜，其特征在于：所述透明衬底包括PET衬底、PI衬底、PDMS衬底、PMMA衬底、PC衬底中的任一种或两种以上的组合。

7.一种高质量碳纳米管透明导电膜的制备方法，其特征在于包括：在透明衬底上层叠设置导电网格和碳纳米管层形成复合导电膜，从而获得高质量碳纳米管透明导电膜。

8.根据权利要求7所述高质量碳纳米管透明导电膜的制备方法，其特征在于包括：直接在所述衬底上制备形成碳纳米管层；和/或，将成型碳纳米管薄膜转移到所述衬底上而形成碳纳米管层。

9.根据权利要求8所述高质量碳纳米管透明导电膜的制备方法，其特征在于包括：采用化学气相沉积法在可挠性衬底上制备碳纳米管薄膜，或者，对碳纳米管分散液进行抽滤而获得碳纳米管薄膜；以及，将所述碳纳米管薄膜转移到所述衬底上而形成碳纳米管层。

10.根据权利要求7所述高质量碳纳米管透明导电膜的制备方法，其特征在于包括：至少选用印刷、溅射、蒸镀、电化学沉积中的任一种方式所述衬底上形成所述导电网格。

11.根据权利要求7所述高质量碳纳米管透明导电膜的制备方法，其特征在于包括：

以金属油墨进行印刷形成所述金属网格；

或者，在所述衬底上形成导电薄膜，再通过微加工而形成所述金属网格，所述微加工包括黄光刻蚀工艺。

12.一种装置，其特征在于包括权利要求1-6中任一项所述的高质量碳纳米管透明导电膜。