[发明专利]一种便携式板组合制冷装置在审

专利信息
申请号: 201510693500.2 申请日: 2015-10-24
公开(公告)号: CN105202803A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 唐玉敏;虞红伟 申请(专利权)人: 唐玉敏;虞红伟
主分类号: F25B21/02 分类号: F25B21/02
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 315400 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 便携式 组合 制冷 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及制冷技术领域,尤其涉及一种便携式板组合制冷装置。

背景技术

目前的制冷装置采用压缩机制冷,体积大,不方便携带,需要外置电源才能进行工作。

发明内容

本发明针对上述问题提出一种便携式板组合制冷装置,其特征在于:包括制冷板、以及为其提供直流电源的蓄电池,所述蓄电池与所述制冷板电连接;所述制冷板可组装形成用于制冷的制冷空间;所述制冷板设置半导体制冷片,所述半导体制冷片的冷端面靠近所述制冷板内侧,所述半导体制冷片的热端面靠近所述制冷板的外侧。半导体制冷板仅需要12V的直流电就可以开启工作,在其冷端吸收热量进行降温。即使在野外没有外置电源的地方也可以正常使用。制冷结构简单,简化制冷装置体积,方便携带。用于组装形成制冷空间的制冷板在不使用时,方便收纳。电制冷的方式,避免采用氟利昂等制冷剂,减少对环境的污染;携带过程中也不必担心制冷剂泄漏。

进一步地,所述半导体制冷片的P型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体制冷片的N型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体制冷片的P型半导体和所述半导体制冷片的N型半导体均设置石墨烯层。所述石墨烯层具有极高的导热率有利于将所述半导体制冷片热端热量的及时散发,提高所述半导体制冷片的制冷能力,即使所述半导体制冷片的热端未设置散热装置也可以正常工作,简化了制冷装置的结构,提高便携性。石墨烯层极高的电子迁移率和导电率,能够以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极,增加所述半导体制冷片热冷端的温度差,提高制冷能力。

作为优选,所述P型半导体设置石墨烯层,所述N型半导体具有石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。使得所述半导体制冷片在通电3S内其冷端温度下降至-50℃,同时热端温度上升至100℃,实现所述半导体制冷片热冷端温度差达到150摄氏度。

作为优选,所述半导体制冷片的N型半导体添加石墨烯颗粒,或者所述半导体制冷片的P型半导体添加石墨烯颗粒,或者所述半导体制冷片的N型半导体和P型半导体均添加石墨烯颗粒。石墨烯具有极高的导热率有利于将所述半导体制冷片热端热量的及时散发,提高所述半导体制冷片的制冷能力,即使所述半导体制冷片的热端未设置散热装置也可以正常工作,简化了制冷装置的结构,提高便携性。石墨烯极高的电子迁移率和导电率,能够以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极,增加所述半导体制冷片热冷端的温度差,提高制冷能力。

作为优选,所述N型半导体添加石墨烯颗粒,所述P型半导体添加石墨烯颗粒,并且所述N型半导体的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨颗粒的石墨烯纯度。使得所述半导体制冷片在通电3S内其冷端温度下降至-50℃,同时热端温度上升至100℃,实现所述半导体制冷片热冷端温度差达到150摄氏度。

作为优选,所述制冷板设置导热层和隔热层,所述导热层设置在所述半导体制冷片的冷端面内侧与所述冷端面导热连接;所述隔热层设置在所述半导体制冷面的热端面外侧。所述半导体制冷片通过所述导热层及时地吸走所述制冷空间内的热量。

作为优选,所述导热层为石墨烯导热层。石墨烯优于金属几十倍的导热率,有利用及时的将制冷空间内的热量通过所述冷端面吸走,降低制冷空间内的温度。

作为优选,所述制冷板边缘设置密封装置。所述密封装置防止所述制冷空间内的冷空气逸出。

作为优选,所述电源设置用于调节所述电源的电流大小的电流调节单元。通过调节所述电源的电流,调节所述制冷装置所需要的制冷温度。

本发明具有如下有益效果:

1.制冷装置通过板式的制冷片组装而成,结构简单、方便收纳、组装方便;

2.采用蓄电池供电,在没有外置电源的环境中仍然可以正常工作;

3.制冷温度范围可调,适用各种场合;

4.半导体制冷片具有快速的制冷能力,即使频繁开关制冷装置都不会影响其制冷空间内的温度。

5.采用电制冷的方式制冷,不需要使用氟利昂作为制冷剂,绿色环保,更加安全。

6.采用电制冷的方式制冷,避免了使用压缩机式的制冷系统,降低了制冷噪音。

7.采用电制冷的方式制冷,制冷系统中无机械运动,运行更稳定。

8.提高了制冷速度,更适合于便携式的使用场合。

附图说明

图1便携式板组合制冷装置立体图;

图2便携式板组合制冷装置组装图;

图3制冷板结构示意图;

图4半导体制冷片结构示意图一;

图5半导体制冷片结构示意图二;

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