[发明专利]L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法在审

专利信息
申请号: 201510690968.6 申请日: 2015-10-22
公开(公告)号: CN105305815A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 贺明智;赵与辉;何雄;孙利娟;李志君;李金芝;段宣祥;张志恒;郑琼林;杨晓峰;于美娜 申请(专利权)人: 北京京仪椿树整流器有限责任公司;北京交通大学
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 代理人: 董琪
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: boost 电平 电路 电容 电压 均衡 控制 方法
【权利要求书】:

1.L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,对各个输出电容上的电压进行采样;

步骤2,计算总电压;

步骤3,每个输出电容通过对电压的采样值进行比较,产生该电容相关的Boost开关管的控制信号,若电压存在不均衡,通过采样与设定的均衡电压值比较,再通过占空比的调节使各个电容上电压平衡。

2.如权利要求1所述的L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法,其特征在于:采用霍尔或电压传感器对各个输出电容上的电压进行采样。

3.如权利要求1所述的L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法,其特征在于:输出电容数量为N,则采用的霍尔或电压传感器的数量为N,

总电压为N个输出电容采样电压之和。

4.如权利要求1所述的L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法,其特征在于:纵轴上的开关器件选用MOSFET或是IGBT,横轴上的开关器件选用MOSFET或是IGBT,横轴上并联的开关器件选用MOSFET或是IGBT。

5.如权利要求1所述的L型Boost多电平电路电容电压均衡控制方法,其特征在于:设定每个输出电容的电压均衡设定值为VC,电路开始工作时,分别对输出电容电压采样,然后与该输出电容的电压均衡设定值VC比较,得到误差值ECk,EC(k-1),……,EC1,误差值经PID控制器调节,与三角或锯齿载波比较得到相应的占空比,分别给纵轴上的开关器件、横轴上的开关器件和横轴上并联的开关器件。

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