[发明专利]一种二维斯格明晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201510688564.3 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105161289A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 孙亮;缪冰锋;丁海峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F41/30 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 斯格明 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二维斯格明晶体的制备方法，其特征是将纳米磁性圆盘直接放到垂直各项异性材料上面，利用磁性材料之间的退磁能、交换能、各向异性能的相互作用的竞争获得斯格明晶体结构。
2.根据权利要求1所述的二维斯格明晶体的制备方法，其特征是钴的纳米磁性圆盘阵列放置到钴铂合金平面上，通过施加平行于薄膜表面且互相垂直的组合磁场的方法，使得纳米磁性圆盘阵列的每个磁性圆盘磁化的旋转方向统一。
3.根据权利要求2所述的二维斯格明晶体的制备方法，其特征是的垂直于薄膜方向施加一个0.2-0.5T的外磁场，使钴圆盘中心部分和周围的磁化方向往同一方向排列、垂直于膜面向上或者向下；然后利用中心和周围的磁化的翻转磁场不同，施加一个合适大小的垂直于薄膜方向的0.05-0.1T反向外磁场，使得中心和周围的磁化方向一个翻转而另一个不变。
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