[发明专利]一种接地装置及使用方法在审
| 申请号: | 201510686230.2 | 申请日: | 2015-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN106611902A | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
| 发明(设计)人: | 吕光泉;苏欣;吴凤丽 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号: | H01R4/66 | 分类号: | H01R4/66 |
| 代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人: | 甄玉荃,霍光旭 |
| 地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 接地装置 使用方法 | ||
1.一种接地装置,其特征在于:将一导电金属制成片状,并加工出密集且排列均匀的小孔,将其嵌入到片状绝缘盘内部,使其有一部分露出于绝缘片,再在绝缘片上加工出与此金属片小孔排列方式相同的小孔,所述绝缘片的小孔略小于金属片的小孔。
2.如权利要求1所述的接地装置,其特征在于:选用金属钼材料,制成圆形薄片,在圆形薄片的边缘处,连接一条金属钼圆柱,在金属钼圆柱的另一端连接一片状金属钼圆环,圆环外径为A,在圆形薄片上,均匀并规律排列钼金属片小孔,钼金属片小孔的直径为D。
3.如权利要求1所述的接地装置,其特征在于:加工一圆筒形陶瓷件,使陶瓷件完全包覆金属钼零件,即陶瓷件底面及厚度完全包覆金属钼圆形薄片,加工与金属钼薄片具有相同排列规律的小孔,使小孔直径d略小于钼金属片小孔直径D,陶瓷件的圆筒壁完全包覆金属钼的圆柱,圆筒形陶瓷件的筒壁外径为B,使金属钼圆环外径A略大于圆筒形陶瓷件的筒壁外径B,则陶瓷件筒壁上端包覆金属钼的圆环时,圆环露出陶瓷件筒壁上端边缘。
4.如权利要求3所述的接地装置,其特征在于:所述圆环露出陶瓷件筒壁上端边缘的尺寸是金属钼圆环外径A与陶瓷件筒壁外径B差的1/2。
5.如权利要求1或2或3或4所述的接地装置,其使用方法:将绝缘片安装于反应腔中,置于上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间,使暴露于绝缘片外部的一部分优良导电金属与腔体或其他接地零件接触,这时,上电极喷淋装置与包覆导电金属片的绝缘片就形成了上下电极,工艺反应使 将射频电压加载到喷淋装置上,喷淋装置与绝缘片之间就产生了射频电场,使工艺气体辉光放电,在辉光放电区域产生大量高能电子,促使工艺气体分子活化,均匀地通过绝缘片密集而排列均匀的小孔并吸附在薄膜衬底上,发生化学反应形成薄膜,同时,将可能产生打火的区域限定在喷淋装置与绝缘片之间,消除绝缘片与薄膜衬底之间的区域的电位差,使工艺反应平稳进行。
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