[发明专利]一种包含纯半胱胺为还原剂的烫发剂组合物在审
| 申请号: | 201510685230.0 | 申请日: | 2015-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN105326652A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
| 发明(设计)人: | 李娜 | 申请(专利权)人: | 李娜 |
| 主分类号: | A61K8/46 | 分类号: | A61K8/46;A61Q5/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 264299 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 包含 半胱胺 还原剂 烫发 组合 | ||
技术领域
本发明涉及烫发剂应用技术领域,尤其是一种包含纯半胱胺为还原剂的烫发剂组合物。
背景技术
每根头发均由表皮层、皮质层、髓质层组成。而作为头发的主要部分的皮质层占头发的80%,皮质层由弹性丰富的角蛋白组成,而角蛋白是由各种氨基酸组成的多肽链接起来的,多肽与多肽之间分布着氢键,盐键,二硫化键等高分子物质,它们形成弹性丰富的螺旋状结构,所以在外力作用下弯曲也会恢复到原来的状态。烫发的原理便是先把二硫化键打断,然后重组,使之永久弯曲或拉直。烫发的基本过程分为两步,第一步是在烫发剂一剂的作用下,大约有45%的二流化键被切断,而变成单硫键。这些单硫键在卷芯直径与形状的影响下,产生挤压而移位,并留下许多空隙;第二步是烫发水二剂中的氧化剂进入发体后,在这些空隙中膨胀变大,使原来的单硫键无法回到原位,而与其他一个与之相邻的单硫键重新组成一组新的二流化键,使头发中原来的二流化键的角度产生变化,使头发永久的变卷或变直。
烫发剂(perm)一般由还原性一剂与氧化性二剂组成。以往作为还原性剂,具体有巯基乙酸,巯基乙酸盐酸盐,巯基乙酸酯,半胱氨酸,半胱氨酸盐酸盐,半胱氨酸乙酰衍生物,半胱胺盐酸盐。作为氧化剂,具体有过氧化氢和溴酸钠。通常,在烫发剂(perm)配方中,为了提高还原速度和效果,会使用碱性物质,渗透剂,湿润剂,乳化剂,芳香剂等。
以上列举的还原剂必须配以碱性物质来提高PH值,常用的碱性物质有氨水,乙醇胺,三乙醇胺等。使用这种碱性物质使还原性一剂的PH值达到8.9~10。使用碱来调节PH值的目的是为了使表皮层膨胀与软化,以便于主剂的渗透与吸收。但使用碱性物质提高PH值会使头发蛋白质受到损伤,造成毛发结构松弛、多孔而无弹性。而且使用碱性物质后,产生的铵盐或者单乙醇胺盐酸盐会留下难闻的臭味。
怎样才能减少烫发过程中头发的损伤和怎样减少烫发后残留的难闻的气味,这是一直以来很难攻克的难题,于是使用各种滋润剂和营养剂来弥补头发受损,用大量添加芳香剂来掩盖难闻的气味。这样的方法虽然会带来一些改善,但很难达到根本的效果。特别是烫发后留下的难闻的味道不是单纯用芳香剂就能掩盖掉的。
发明内容
现有技术难以满足人们的生产生活需要,为了解决上述存在的问题,本发明提出了一种包含纯半胱胺为还原剂的烫发剂组合物。
为实现该技术目的,本发明采用的技术方案是:一种包含纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)为还原剂的烫发剂组合物,其制作原料包括纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)、表面活性剂、毛发保护剂、稳定剂、保湿剂、金属络合剂和纯净水;制作原料各组份占重量比为:纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)0.1-100%;表面活性剂1.0~5%;毛发保护剂0.05至1%;稳定剂0.1~3%;保湿剂3~15%;金属络合剂0.1~3%;纯净水适量;烫发剂PH值为8.5~10。
作为本发明的进一步技术方案,所述纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)分子量为77.15,PH值为9.5-10。
作为本发明的进一步技术方案,所述表面活性剂为聚山梨酸酯,十二烷基醚硫酸钠,硬脂醇聚醚或鲸蜡硬脂醇。
作为本发明的进一步技术方案,所述稳定剂为卡波姆类,柠檬酸及其盐类,磷酸及其盐类或纤维素类。
作为本发明的进一步技术方案,所述保湿剂可以使用甘油,丙二醇,丁二醇或尿素。
作为本发明的进一步技术方案,所述金属络合剂为羟基乙叉二膦酸,羟乙膦酸钠,EDTA-2钠或EDTA-4钠。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:该包含纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)为还原剂的烫发剂组合物,
1.因使用了纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2),无需添加任何碱性物质PH值就能达到8.5~10,使表皮层膨胀和软化。
2.去掉盐的纯半胱胺(HS-CH2-CH2-NH2)分子量更小,更容易渗透与吸收,从而减少烫发时间。
3.不添加碱性物质,大大减少了产生的副产物,不仅减少了头发受损,还很大程度的降低了烫发后残留的难闻的气味。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
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