[发明专利]一种太阳能电池片、其制备方法及其组成的太阳能电池组有效
| 申请号: | 201510679909.9 | 申请日: | 2015-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN106611803B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
| 发明(设计)人: | 兰立广 | 申请(专利权)人: | 北京创昱科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽;尹学清 |
| 地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 及其 组成 太阳能 电池组 | ||
1.一种太阳能电池片,包括堆叠设置的窗口层(4)、基极层(5)、发射极层(6)和钝化层(8),其特征在于,所述太阳能电池片上设有间隔设置的N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列,所述N型触点(12)贯穿所述发射极层(6)和钝化层(8),所述P型触点(13)贯穿所述钝化层(8),所述N型触点(12)侧壁外侧设置有由所述钝化层(8)延伸形成的侧壁钝化层(10),所述N型触点(12)为倒圆台型。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片还包括设置在所述发射极层(6)和钝化层(8)之间的界面层(7),所述述N型触点(12)贯穿所述发射极层(6)、界面层(7)和钝化层(8)使所述基极层(5)裸露,所述P型触点(13)贯穿所述钝化层(8)使所述界面层(7)裸露。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述N型触点(12)开口端的横截面积大于其底部横截面积。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述N型触点(12)的侧壁与水平面的夹角锐角α为:5°≤α≤85°。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,相邻N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列构成触点阵列组,所述触点阵列组的数量为偶数,设置在所述太阳能电池片中心线一侧的触点阵列组的N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列分别与另一侧的触点阵列组的P型触点(13)阵列和N型触点(12)阵列呈镜像排布。
6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,相邻N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列构成触点阵列组,所述触点阵列组的数量为奇数,设置在中间触点阵列组中心线一侧的N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列分别与另一侧的触点阵列组的P型触点(13)阵列和N型触点(12)阵列呈镜像排布。
7.根据权利要求1或2任一所述的太阳能电池片,其特征在于,所述N型触点(12)阵列和所述P型触点(13)阵列等间距设置。
8.根据权利要求7所述太阳能电池片,其特征在于,所述的太阳能电池片为砷化镓薄膜太阳能电池。
9.根据权利要求1或2任一项所述的太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片还包括设置在所述窗口层(4)远离所述基极层(5)一侧的抗反射涂层(15)。
10.一种串联连接的太阳能电池组件,其特征在于,包括至少两个权利要求1或权2所述的太阳能电池片,相邻所述太阳能电池片对应位置的N型触点(12)阵列和P型触点(13)阵列电导通形成串联连接。
11.根据权利要求10所述串联连接的太阳能电池组件,其特征在于,每一所述太阳能电池片和与其相邻的太阳能电池片呈逆向平行设置。
12.根据权利要求10所述串联连接的太阳能电池组件,其特征在于,所述太阳能电池片的N型触点(12)阵列和与其相邻的太阳能电池片的P型触点(13)阵列通过电极连接线(14)电导通,P型触点(13)阵列与和其相邻的太阳能电池片的N型触点(12)阵列通过电极连接线(14)电导通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京创昱科技有限公司,未经北京创昱科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510679909.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能背板用E膜材料
- 下一篇:一种全钝化太阳能电池结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





