[发明专利]一种钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510679106.3 申请日: 2015-10-19
公开(公告)号: CN105374937A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 何海平;蔚倩倩;李静;司俊杰;叶志镇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 mis 结构 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于显示与照明领域,涉及一种电致发光器件及其制备方法,尤其涉及一种钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法。

背景技术

2013年,Seok小组报道了通过将CH3NH3PbI3和CH3NH3PbBr3简单的混合来调节CH3NH3Pb(I1-xBrx)3中I和Br的比例,可以获得禁带宽度在1.5eV到2.2eV之间的钙钛矿材料。这为钙钛矿材料实现可见光范围内的多色发光提供了可能。同时在对薄膜发光效率的研究中,发现在低激发强度时,CH3NH3PbI3-xClx发光效率较低,但是随着激发强度的增加迅速升高,可以达到70%。这些优势使钙钛矿型电致发光器件(PeLED)具有非常有潜力的价值。本发明创造性地采用了MIS结构的发光器件,结构和实现方式简单,节约原料、成本低廉,且制备方法所用的设备与现行成熟的器件平面工艺兼容。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种结构简单、节约原料且成本低廉的钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法。

本发明的钙钛矿MIS结构电致发光器件,是在衬底上自下而上或者自上而下依次包括第一电极层、绝缘层、CH3NH3PbClxBryIz层、载流子传输层及第二电极层;其中x+y+z=3。

所述的衬底通常为玻璃或者柔性基片,所述的柔性基片为聚酯类或聚酞亚胺类化合物。

所述的绝缘层可以为氧化铝、氧化铪、氧化硅或PMMA。

所述的载流子传输层可以为电子传输层或者空穴传输层;所述的电子传输层为金属氧化物电子传输材料;所述的空穴传输层为3,4-乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、聚醚酰亚胺中任意一种或多种的共混物。

所述的第一电极层为Au、Al、ITO或FTO;所述的第二电极层为Au、Al、ITO或FTO。

上述钙钛矿MIS结构电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:

(1)清洗衬底,并干燥;

(2)在衬底上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第一电极层;

(3)在第一电极层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积或者旋涂法制备绝缘层;再将样品置入手套箱中,在惰性气氛下用旋涂法在绝缘层上依次制备CH3NH3PbClxBryIz层和载流子传输层;

(4)在载流子传输层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第二电极层;获得钙钛矿MIS结构电致发光器件;

或者

(1)清洗衬底,并干燥;

(2)在衬底上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第二电极层;

(3)将样品置入手套箱中,在惰性气氛下用旋涂法在第二电极层上依次制备载流子传输层和CH3NH3PbClxBryIz层;再在CH3NH3PbClxBryIz层上采用原子层沉积或者旋涂法制备绝缘层;

(4)在绝缘层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第一电极层;获得钙钛矿MIS结构电致发光器件。

本发明具有的有益效果是:与现有技术相比,本发明通过MIS结构实现金属有机杂化钙钛矿材料的发光,相较于常规的p-i-n器件,本发明的结构采用ABX3结构的钙钛矿发光层可以实现带隙可调,发光颜色可以是可见光、近红外、近紫外,能够实现高亮度、高效率的发光,光热稳定、环境友好。此外,本发明的方法工艺简单、节约原料、成本较低,可实现大面积、柔性器件、高性能发光器件的工业化生产。

附图说明

图1为本发明电致发光器件的结构示意图,其中(a)为一种结构;(b)为另一种结构。

图2为实例1制得器件的发光效果图。

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