[发明专利]一种钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 201510679106.3 | 申请日: | 2015-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN105374937A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
| 发明(设计)人: | 何海平;蔚倩倩;李静;司俊杰;叶志镇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
| 地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 钙钛矿 mis 结构 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于显示与照明领域,涉及一种电致发光器件及其制备方法,尤其涉及一种钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法。
背景技术
2013年,Seok小组报道了通过将CH3NH3PbI3和CH3NH3PbBr3简单的混合来调节CH3NH3Pb(I1-xBrx)3中I和Br的比例,可以获得禁带宽度在1.5eV到2.2eV之间的钙钛矿材料。这为钙钛矿材料实现可见光范围内的多色发光提供了可能。同时在对薄膜发光效率的研究中,发现在低激发强度时,CH3NH3PbI3-xClx发光效率较低,但是随着激发强度的增加迅速升高,可以达到70%。这些优势使钙钛矿型电致发光器件(PeLED)具有非常有潜力的价值。本发明创造性地采用了MIS结构的发光器件,结构和实现方式简单,节约原料、成本低廉,且制备方法所用的设备与现行成熟的器件平面工艺兼容。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种结构简单、节约原料且成本低廉的钙钛矿MIS结构电致发光器件及其制备方法。
本发明的钙钛矿MIS结构电致发光器件,是在衬底上自下而上或者自上而下依次包括第一电极层、绝缘层、CH3NH3PbClxBryIz层、载流子传输层及第二电极层;其中x+y+z=3。
所述的衬底通常为玻璃或者柔性基片,所述的柔性基片为聚酯类或聚酞亚胺类化合物。
所述的绝缘层可以为氧化铝、氧化铪、氧化硅或PMMA。
所述的载流子传输层可以为电子传输层或者空穴传输层;所述的电子传输层为金属氧化物电子传输材料;所述的空穴传输层为3,4-乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、1,2,4,5-四(三氟甲基)苯、聚醚酰亚胺中任意一种或多种的共混物。
所述的第一电极层为Au、Al、ITO或FTO;所述的第二电极层为Au、Al、ITO或FTO。
上述钙钛矿MIS结构电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)清洗衬底,并干燥;
(2)在衬底上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第一电极层;
(3)在第一电极层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积或者旋涂法制备绝缘层;再将样品置入手套箱中,在惰性气氛下用旋涂法在绝缘层上依次制备CH3NH3PbClxBryIz层和载流子传输层;
(4)在载流子传输层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第二电极层;获得钙钛矿MIS结构电致发光器件;
或者
(1)清洗衬底,并干燥;
(2)在衬底上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第二电极层;
(3)将样品置入手套箱中,在惰性气氛下用旋涂法在第二电极层上依次制备载流子传输层和CH3NH3PbClxBryIz层;再在CH3NH3PbClxBryIz层上采用原子层沉积或者旋涂法制备绝缘层;
(4)在绝缘层上采用电子束蒸发法、磁控溅射法或者热蒸镀制备第一电极层;获得钙钛矿MIS结构电致发光器件。
本发明具有的有益效果是:与现有技术相比,本发明通过MIS结构实现金属有机杂化钙钛矿材料的发光,相较于常规的p-i-n器件,本发明的结构采用ABX3结构的钙钛矿发光层可以实现带隙可调,发光颜色可以是可见光、近红外、近紫外,能够实现高亮度、高效率的发光,光热稳定、环境友好。此外,本发明的方法工艺简单、节约原料、成本较低,可实现大面积、柔性器件、高性能发光器件的工业化生产。
附图说明
图1为本发明电致发光器件的结构示意图,其中(a)为一种结构;(b)为另一种结构。
图2为实例1制得器件的发光效果图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





