[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种场效应晶体管，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管及其制作方法、液晶显示器。

背景技术

随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。

目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是薄膜场效应晶体管(TFT)。衡量TFT开关品质的一个重要指标是TFT充放电时误写入的严重程度，决定TFT开关品质的一个重要因素是栅电极和源电极之间的寄生电容C_gs。由于TFT的打开或关闭接近瞬态，当栅极电压V_gs从高电平V_gon瞬间下降到低电平V_goff时，V_gs的变换量ΔV_gs会被TFT的寄生电容C_gs耦合到像素电极上，导致像素电压V_p跳变，跳变量为ΔV_p。TFT的寄生电容C_gs越大，跳变量ΔV_p愈大。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种薄膜场效应晶体管，其包括：在基板上的栅极金属层；覆盖所述基板和所述栅极金属层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且相互间隔的第一源极金属层和第一漏极金属层；在所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层上的有源层；其中，所述有源层填充所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层之间的间隔，并在所述间隔的所在位置处形成沟道；在所述有源层上的分别位于所述沟道两侧的第二源极金属层和第二漏极金属层；其中，所述第二源极金属层和所述第一源极金属层接触，所述第二漏极金属层和所述第一漏极金属层接触。

进一步地，所述间隔露出部分所述栅极绝缘层，其余部分所述栅极绝缘层被所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层完全覆盖。

进一步地，所述有源层覆盖所述第一源极金属层的部分，且所述有源层覆盖所述第一漏极金属层的部分；所述第二源极金属层覆盖所述第一源极金属层的未被所述有源层覆盖的部分，所述第二漏极金属层覆盖所述第一漏极金属层的未被所述有源层覆盖的部分。

进一步地，所述间隔露出部分所述栅极绝缘层，其余部分所述栅极绝缘层未被所述第一源极金属层和所述第一漏极金属层完全覆盖。

进一步地，所述有源层覆盖所述第一源极金属层的部分，且所述有源层覆盖所述第一漏极金属层的部分；所述第二源极金属层覆盖所述第一源极金属层的未被所述有源层覆盖的部分以及所述栅极绝缘层未被所述第一源极金属层覆盖的部分，所述第二漏极金属层覆盖所述第一漏极金属层的未被所述有源层覆盖的部分以及所述栅极绝缘层未被所述第一漏极金属层覆盖的部分。

进一步地，当所述薄膜场效应晶体管与像素电极连接时，在所述第二源极金属层和所述第二漏极金属层上形成钝化层，所述钝化层填充所述沟道并覆盖所述第二源极金属层和所述第二漏极金属层；在所述钝化层中形成过孔，其中，所述过孔露出所述第二漏极金属层；在所述钝化层上形成像素电极，其中，所述像素电极经由所述过孔接触所述第二漏极金属层。

进一步地，所述有源层覆盖部分所述第一源极金属层，且所述有源层覆盖部分所述第一漏极金属层；所述第二源极金属层覆盖其余部分所述第一源极金属层的部分，所述第二漏极金属层覆盖其余部分所述第一漏极金属层的部分。

进一步地，当所述薄膜场效应晶体管与像素电极连接时，在所述第二源极金属层和所述第二漏极金属层上形成钝化层，所述钝化层填充所述沟道，所述钝化层覆盖所述第二源极金属层以及所述第一源极金属层未被所述第二源极金属层覆盖的部分，且所述钝化层覆盖所述第二漏极金属层以及所述第一漏极金属层未被所述第二漏极金属层覆盖的部分；在所述钝化层中形成过孔，其中，所述过孔露出所述第一漏极金属层；在所述钝化层上形成像素电极，其中，所述像素电极经由所述过孔接触所述第一漏极金属层。