[发明专利]一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201510676326.0 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106591820B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 熊天英;沈艳芳;杨阳;宋婉;冯博;吴杰;吴中泽;侯涛;李茂程;刘伟杰;郁忠杰;唐伟东 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110168 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化钇涂层 冷喷涂 高纯 关键零部件 制备 熔点 制备陶瓷涂层 表面预处理 等离子喷涂 低压冷喷涂 无涂层区域 氧化钇粉末 有效地减少 表面喷涂 厚度均匀 快速喷涂 喷涂区域 平均粒度 质量稳定 传统的 铝合金 热喷涂 热输入 氧化钇 喷涂 防护 | ||
1.一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)喷涂前对喷涂基体进行彻底清洗，并对基体待喷涂以外的区域进行有效地保护；
2)在冷喷涂装置的送粉器中加入待喷涂的高纯氧化钇粉体；
3)采用冷喷涂装置，在基体待喷涂部位进行喷涂，获得高纯氧化钇涂层；
冷喷涂工艺参数如下：送粉的气体温度100～1000℃，送粉的气体压力0.5～5MPa，粉体的移动速度50～1500m/min，喷涂距离10～40mm，送粉速率10～150g/min；
高纯氧化钇涂层的厚度为50～500μm；高纯氧化钇粉末的化学成分按重量百分比为：Y2O3≧99.9％，粒度范围为2～50μm；高纯氧化钇粉末的粒度要求为：粒度<35μm的粉末，其质量百分含量大于95％；粒度35μm～45μm的粉末，其质量百分含量小于3％；余量为粒度>45μm的粉末。
2.根据权利要求1所述的IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，优选的冷喷涂工艺参数如下：送粉的气体温度200～600℃，送粉的气体压力1～4MPa，粉体的移动速度500～1000m/min，喷涂距离20～30mm，送粉速率50～100g/min。
3.根据权利要求1所述的IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，优选的高纯氧化钇涂层的厚度为100～300μm。
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