[发明专利]高压IGBT芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种高压IGBT芯片及其制作方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片的部分结构示意图如图1所示，IGBT芯片的正面结构包括有源区101和终端区102，背面结构包括集电极103，其中，终端区102位于IGBT芯片的边缘区域，包括场限环1020和截止环1021等。

现有技术在制作IGBT芯片时，先在一个基板上制作完成多个IGBT芯片，之后再将IGBT芯片分离开，即沿图1中的A-A线的方向进行划片。但是，由于高压IGBT芯片的厚度较大，约在400um以上，因此，在现有的划片技术只能将大部分的厚度划开，即IGBT芯片的背面仍有一部分连在一起。

虽然IGBT芯片背面连接部分的机械强度很小，并不影响IGBT芯片的分离，但是，还是会导致IGBT芯片的背面呈崩裂状，而严重的崩裂可能会影响IGBT芯片背面PN结的性能，如造成PN结的反偏压漏电流较大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种高压IGBT芯片及其制作方法，以解决现有技术中的划片方法容易导致IGBT芯片的背面崩裂，影响背面PN结性能的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种高压IGBT芯片的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括多个IGBT单元；

在所述基底的划片区形成沟槽，以便通过所述沟槽对所述基底进行分割，其中，所述划片区位于所述IGBT单元之间。

优选的，在所述基底的划片区形成沟槽之后，还需采用切割机或划片机沿着所述沟槽对所述基底进行切割。

优选的，所述沟槽的深度是由所述基底的厚度以及所述切割机或划片机的切割深度决定的。

优选的，所述基底的正面包括有源区和终端区，所述基底的背面包括集电极，所述沟槽位于所述基底的正面。

优选的，在所述基底的划片区形成沟槽的过程包括：

在所述基底表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，以在所述基底表面形成光刻胶掩膜，所述掩膜将所述基底的划片区暴露出来；

将所述具有掩膜的基底放置在腐蚀溶液中，通过腐蚀溶液对所述基底进行刻蚀，以在所述基底的划片区形成沟槽。

一种高压IGBT芯片，所述高压IGBT芯片是采用上述任一项所述的方法形成的。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的高压IGBT芯片及其制作方法，在包括多个IGBT单元的基底的划片区形成沟槽，然后再沿着沟槽对基底进行分割，从而可以将具有IGBT单元的芯片划透，即背面不再具有连接部分，避免了由于背面崩裂而影响PN结性能的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1现有的IGBT芯片的部分结构示意图；

图2为本发明的一个实施例提供的高压IGBT芯片的制作方法的流程图；

图3为本发明的一个实施例提供的高压IGBT芯片的部分结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术在制作IGBT芯片时，先在一个基板上制作完成多个IGBT芯片，之后再将IGBT芯片分离开，即沿图1中的A-A线的方向进行划片。但是，由于高压IGBT芯片的厚度较大，约在400um以上，因此，在划片深度一定时只能将大部分的厚度划开，即IGBT芯片的背面仍有一部分连在一起。虽然IGBT芯片背面连接部分的机械强度很小，并不影响IGBT芯片的分离，但是，还是会导致IGBT芯片的背面呈崩裂状，而严重的崩裂可能会影响IGBT芯片背面PN结的性能，如造成PN结的反偏压漏电流较大。

基于此，本发明提供了一种高压IGBT芯片的制作方法，以克服现有技术存在的上述问题，包括：

提供基底，所述基底包括多个IGBT单元；

在所述基底的划片区形成沟槽，以便通过所述沟槽对所述基底进行分割，其中，所述划片区位于所述IGBT单元之间。

本发明还提供了一种高压IGBT芯片，所述高压IGBT芯片是采用上述任一项所述的方法形成的。