[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510671955.4 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601806A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;陈建国;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、钝化层和第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的栅极、源极和漏极，其特征在于，所述漏极包括形成在所述第一绝缘层上的欧姆接触电极和覆盖在所述欧姆接触电极上部的肖特基电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基电极覆盖所述欧姆接触电极，并且肖特基电极的边缘与所述第一绝缘层接触，形成肖特基接触结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括依次设置的GaN层和AlGaN势垒层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层的材料为Si3N4，所述第一绝缘层的材料为氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述欧姆接触电极贯穿所述钝化层和绝缘层与所述外延层的顶部接触。
6.一种权利要求1-5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
S1、在衬底上形成外延层；
S2、在所述外延层表面沉积钝化层和第一绝缘层；
S3、在所述第一绝缘层上欧姆接触电极；
S4、在所述欧姆接触电极和所述第一绝缘层上形成肖特基电极层；
S5、刻蚀所述肖特基电极层，在所述欧姆接触电极上形成肖特基电极。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3具体包括：
刻蚀所述钝化层和第一绝缘层形成漏端接触孔，所述漏端接触孔的底部露出所述外延层的上表面；
在所述第一绝缘层和漏端接触孔的表面沉积欧姆电极层；
刻蚀所述欧姆电极层形成所述欧姆接触电极。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述外延层包括依次设置的GaN层和AlGaN势垒层。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材料为Si3N4，所述第一绝缘层的材料为氧化硅膜。
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