[发明专利]一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极，与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部，位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层；

其中，所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述外延层包括依次设置的P掺杂的GaN、未掺杂的GaN和未掺杂的AlGaN。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为与第二绝缘层的材料为SiO₂。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述栅极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述外延层连接，并且所述栅极的底部位于所述外延层内部，所述栅极引脚在所述栅极对应的位置通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔与所述栅极电连接。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述源极通过贯穿所述第一绝缘层第二过孔与所述外延层接触，所述源极引脚在所述源极对应的位置通过贯穿所述第二绝缘层的第五过孔与所述源极电连接。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述漏极通过贯穿所述第一绝缘层第三过孔与所述外延层接触，所述漏极引脚在所述漏极对应的位置通过贯穿所述第二绝缘层的第六过孔与所述漏极电连接。

7.一种权利要求1-6所述的高电子迁移率晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上生长外延层；

在所述外延层上沉积第一绝缘层；

分别形成栅极、源极和漏极，所述栅极通过第一过孔与所述外延层连接，并且所述栅极底部延伸到所述外延层的内部，所述源极通过第二过孔与所述外延层接触，所述漏极通过第三过孔与所述外延层接触；

沉积第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上对应于所述栅极的位置刻蚀第四过孔，并在所述第四过孔中形成与所述栅极电连接的栅极引脚、在所述第二绝缘层上对应于所述源极的位置刻蚀第五过孔，并在所述第五过孔中形成与所述源极电连接的源极引脚、在所述第二绝缘层上对应于所述漏极的位置刻蚀第六过孔，并在所述第六过孔中形成与所述漏极电连接的漏极引脚；

沉积第三绝缘层；

刻蚀所述第三绝缘层，分别露出所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚的上表面。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，分别形成栅极、源极和漏极之前，所述方法还包括：

形成贯穿所述第一绝缘层的第一、第二和第三过孔；

其中，所述第一过孔的底部嵌入到所述外延层中。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述外延层包括依次设置的P掺杂的GaN、未掺杂的GaN和未掺杂的AlGaN。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层与第二绝缘层的材质为SiO₂；所述第三绝缘层的材质为高分子有机材料。