[发明专利]栅极驱动器及其配置系统和调节配置方法在审
| 申请号: | 201510670568.9 | 申请日: | 2015-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN105139824A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
| 发明(设计)人: | 高贤永;许益祯;肖利军;侯帅;徐波;梁利生;伏思庆;尚飞;邱海军 | 申请(专利权)人: | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;张懿 |
| 地址: | 400714 重庆市水*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 栅极 驱动器 及其 配置 系统 调节 方法 | ||
1.一种栅极驱动器,用于为薄膜晶体管阵列基板提供栅极驱动信号,其特征在于,包括:
推力检测模块,其至少接收从所述栅极驱动信号采集的反馈信号并至少基于该反馈信号来检测所述栅极驱动信号的推力,进而输出反映栅极驱动信号的推力的检测信号;以及
推力调整模块,其包括用于根据外部配置输入的调整指令来调整所述栅极驱动信号的推力;
其中,所述调整指令至少基于所述检测信号生成,其中所述推力是指电压脉冲信号形式的栅极驱动信号从低电平到高电平的上升时间。
2.如权利要求1所述的栅极驱动器,其特征在于,所述推力检测模块包括:
比较器,其配置有输入基准电压信号的第一输入端和输入从所述栅极驱动信号采集的反馈信号的第二输入端,其中,所述比较器将所述反馈信号与所述基准电压信号进行比较判断以确定所述栅极驱动信号是否从低电平上升到所述基准电压;以及
计时子模块,其用于计时所述栅极驱动信号从低电平上升到所述基准电压的时间并基于该时间输出所述检测信号。
3.如权利要求2所述的栅极驱动器,其特征在于,所述计时子模块包括计数器,所述计数器以标准时钟为单位对所述栅极驱动信号从低电平上升到所述基准电压的时间进行计数并输出。
4.如权利要求2或3所述的栅极驱动器,其特征在于,所述推力检测模块包括:
基准电压信号提供子模块,其包括串联设置的第一电阻和第二电阻,所述比较子模块的第一输入端电连接在所述第一电阻和第二电阻之间。
5.如权利要求4所述的栅极驱动器,其特征在于,所述第一电阻的第一端接入用来生成所述栅极驱动信号的信号源。
6.如权利要求1所述的栅极驱动器,其特征在于,所述推力调整模块包括:
推力调节部件,其设置在所述栅极驱动器的推挽输出电路中;以及
寄存器,其用于可配置地存储所述调整指令,并且所述调整指令为数字信号;
其中,所述推力调节部件被所述寄存器中的调整指令调节控制。
7.如权利要求6所述的栅极驱动器,其特征在于,所述推力调节部件为数字电位器或数字电容器,或者为数字电位器或数字电容器形成的电路。
8.如权利要求6所述的栅极驱动器,其特征在于,所述推挽输出电路包括串联设置的第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管接入用来生成所述高电平的信号源(VGH’),所述第二MOS管接入用来生成所述栅极驱动信号的低电平的信号源(VGL’),并且在所述第一MOS管和第二MOS管之间串联地设置所述推力调节部件;
其中,所述反馈信号从所述推挽输出电路上的所述第二MOS管与所述推力调节部件之间采集。
9.如权利要求1所述的栅极驱动器,其特征在于,所述检测信号为数字信号。
10.一种配置系统,用于调节配置多个如权利要求1所述的栅极驱动器的推力,不同的所述栅极驱动器分别用来驱动控制薄膜晶体管阵列基板的不同薄膜晶体管阵列区域,其特征在于,包括:
多个如权利要求1至9中任一项所述的栅极驱动器;以及
控制器,其用于存储多个所述栅极驱动器输出的所述检测信号,并将多个所述栅极驱动器分别对应的检测信号进行比较计算以对应不同的所述栅极驱动器分别输出不同的所述调整指令,从而实现不同的栅极驱动器输出的栅极驱动信号被传输至相应的薄膜晶体管阵列区域的不同驱动控制信号之间的推力相对一致。
11.如权利要求10所述的配置系统,其特征在于,所述多个栅极驱动器被设置在同一薄膜晶体管阵列基板上。
12.如权利要求10所述的配置系统,其特征在于,所述控制器被配置有推力配置规则,并且基于所述配置规则和所述检测信号之间的比较计算结果来输出所述调整指令。
13.如权利要求12所述的配置系统,其特征在于,根据多个栅极驱动器输出的栅极驱动信号的推力差异和/或多个栅极驱动器对应的外部布线条件来设置所述推力配置规则。
14.如权利要求10所述的配置系统,其特征在于,所述检测信号通过所述栅极驱动器的外部引脚输出,并耦接至所述栅极驱动器外部的I2C通信线以传输所述检测信号至所述控制器。
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