[发明专利]半导体基板、半导体封装与半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510662275.6 申请日: 2009-11-17
公开(公告)号: CN105161427B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 林少雄;林建福 申请(专利权)人: 先进封装技术私人有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/538;H01L23/552;H01L23/60;H01L25/10
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 赵国荣<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体基板、封装或装置的制造方法,包括:

提供基层;

形成多个走线在所述基层上;

形成多个导电柱在所述走线上;

形成模制材料层在所述基层上,以覆盖该些走线和该些导电柱,其中所述模制材料层构成载体,所述载体具有第一表面与第二表面,所述第一表面邻近所述基层,所述第二表面与所述基层相对;在所述载体的所述第二表面上形成凹部,所述凹部没有暴露所述走线;以及

去除所述基层。

2.如权利要求1所述的制造方法,还包括:

减薄所述模制材料层以形成载体,其中该些走线和该些导电柱埋设在所述载体中,并电性连接所述第一表面至所述第二表面。

3.如权利要求1所述的制造方法,还包括:设置半导体芯片在所述凹部中。

4.如权利要求3所述的制造方法,其中所述凹部为贯穿孔,所述贯穿孔从所述载体的所述第一表面延伸至所述第二表面。

5.如权利要求4所述的制造方法,其中,所述凹部暴露部分之该些走线,且所述半导体芯片电连接到该些走线。

6.如权利要求5所述的制造方法,其中所述半导体芯片到该些走线的附着通过热压接合实现。

7.如权利要求3所述的制造方法,还包括:在所述凹部中形成填充结构,用以密封所述半导体芯片。

8.如权利要求7所述的制造方法,其中形成所述填充结构的步骤包括:

形成第一填充材料在所述半导体芯片与所述载体之间;以及

形成第二填充材料,用以密封所述半导体芯片和所述第一填充材料。

9.如权利要求1所述的制造方法,还包括:在所述凹部的表面上形成金属屏蔽层。

10.如权利要求2所述的制造方法,还包括:

在所述载体上形成钝化层;

在所述钝化层中形成多个开口;以及

在所述开口中形成多个焊料层或导电焊垫。

11.如权利要求1所述的制造方法,其中,所述基层为部分去除,以形成环形结构。

12.如权利要求1所述的制造方法,其中,在形成所述凹部之前,将该些走线和该些导电柱以及所述模制材料层的形成步骤重复几次,从而形成多层结构。

13.一种半导体基板、封装或装置的制造方法,包括:

提供基层;

形成第一导电层在所述基层上;

形成第一模制材料层在所述基层上,以覆盖所述第一导电层;

形成第二导电层在所述第一模制材料层上;

形成第二模制材料层在所述第一模制材料层上,以覆盖所述第二导电层,其中所述第一模制材料层和所述第二模制材料层构成载体,所述载体具有第一表面与第二表面,所述第一表面邻近所述基层,所述第二表面与所述基层相对;

在所述载体的所述第二表面上形成凹部,所述凹部没有暴露所述第一导电层;以及

去除所述基层。

14.如权利要求13所述的制造方法,其中所述第一导电层和所述第二导电层埋设在所述载体中,并电性连接所述第一表面至所述第二表面。

15.如权利要求14所述的制造方法,其中所述凹部为贯穿孔,所述贯穿孔从所述载体的所述第一表面延伸至所述第二表面。

16.如权利要求13所述的制造方法,还包括:

减薄所述第一模制材料层和所述第二模制材料层,以形成载体。

17.如权利要求13所述的制造方法,还包括:设置半导体芯片在所述凹部中。

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