[发明专利]半导体基板、半导体封装与半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201510662275.6 | 申请日: | 2009-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN105161427B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
| 发明(设计)人: | 林少雄;林建福 | 申请(专利权)人: | 先进封装技术私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/538;H01L23/552;H01L23/60;H01L25/10 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 赵国荣<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体基板、封装或装置的制造方法,包括:
提供基层;
形成多个走线在所述基层上;
形成多个导电柱在所述走线上;
形成模制材料层在所述基层上,以覆盖该些走线和该些导电柱,其中所述模制材料层构成载体,所述载体具有第一表面与第二表面,所述第一表面邻近所述基层,所述第二表面与所述基层相对;在所述载体的所述第二表面上形成凹部,所述凹部没有暴露所述走线;以及
去除所述基层。
2.如权利要求1所述的制造方法,还包括:
减薄所述模制材料层以形成载体,其中该些走线和该些导电柱埋设在所述载体中,并电性连接所述第一表面至所述第二表面。
3.如权利要求1所述的制造方法,还包括:设置半导体芯片在所述凹部中。
4.如权利要求3所述的制造方法,其中所述凹部为贯穿孔,所述贯穿孔从所述载体的所述第一表面延伸至所述第二表面。
5.如权利要求4所述的制造方法,其中,所述凹部暴露部分之该些走线,且所述半导体芯片电连接到该些走线。
6.如权利要求5所述的制造方法,其中所述半导体芯片到该些走线的附着通过热压接合实现。
7.如权利要求3所述的制造方法,还包括:在所述凹部中形成填充结构,用以密封所述半导体芯片。
8.如权利要求7所述的制造方法,其中形成所述填充结构的步骤包括:
形成第一填充材料在所述半导体芯片与所述载体之间;以及
形成第二填充材料,用以密封所述半导体芯片和所述第一填充材料。
9.如权利要求1所述的制造方法,还包括:在所述凹部的表面上形成金属屏蔽层。
10.如权利要求2所述的制造方法,还包括:
在所述载体上形成钝化层;
在所述钝化层中形成多个开口;以及
在所述开口中形成多个焊料层或导电焊垫。
11.如权利要求1所述的制造方法,其中,所述基层为部分去除,以形成环形结构。
12.如权利要求1所述的制造方法,其中,在形成所述凹部之前,将该些走线和该些导电柱以及所述模制材料层的形成步骤重复几次,从而形成多层结构。
13.一种半导体基板、封装或装置的制造方法,包括:
提供基层;
形成第一导电层在所述基层上;
形成第一模制材料层在所述基层上,以覆盖所述第一导电层;
形成第二导电层在所述第一模制材料层上;
形成第二模制材料层在所述第一模制材料层上,以覆盖所述第二导电层,其中所述第一模制材料层和所述第二模制材料层构成载体,所述载体具有第一表面与第二表面,所述第一表面邻近所述基层,所述第二表面与所述基层相对;
在所述载体的所述第二表面上形成凹部,所述凹部没有暴露所述第一导电层;以及
去除所述基层。
14.如权利要求13所述的制造方法,其中所述第一导电层和所述第二导电层埋设在所述载体中,并电性连接所述第一表面至所述第二表面。
15.如权利要求14所述的制造方法,其中所述凹部为贯穿孔,所述贯穿孔从所述载体的所述第一表面延伸至所述第二表面。
16.如权利要求13所述的制造方法,还包括:
减薄所述第一模制材料层和所述第二模制材料层,以形成载体。
17.如权利要求13所述的制造方法,还包括:设置半导体芯片在所述凹部中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进封装技术私人有限公司,未经先进封装技术私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510662275.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工业应用的显微放大装置
- 下一篇:进行不同参与设备的视频会议的方法与系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





