[发明专利]应用于有机电致发光器件的双电子注入层结构、倒置有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于有机电致发光器件的双电子注入层结构，其特征在于：在电极（1）之上制备复合材料的电子注入层（2），所述电子注入层（2）采用两层结构复合构成双电子注入层，在双电子注入层中，第一层电子注入层（2-1）采用厚度为不大于10nm的超薄的金属硫化物薄膜，第二层电子注入层（2-2）采用铯氧化物掺杂的电子传输材料制成，所述第一层电子注入层（2-1）直接与所述电极（1）结合。

2.根据权利要求1所述应用于有机电致发光器件的双电子注入层结构，其特征在于：在第一层电子注入层（2-1）中，金属硫化物薄膜采用ZnS、CuS、MnS、FeS、Ag2S、CdS、PbS、和HgS中的任意一种材料或任意多种材料制成。

3.根据权利要求1或2所述应用于有机电致发光器件的双电子注入层结构，其特征在于：在第二层电子注入层（2-2）中，采用的铯氧化物掺杂的电子传输材料为Cs₂O、Cs₂O₂、CsO₂、CsO₃、Cs₂CO₃、Cs₂SO₄和CsNO₃中的任意一种或任意多种。

4.一种具有权利要求1所述应用于有机电致发光器件的双电子注入层结构的倒置有机电致发光器件，其特征在于：采用透明的电极（1），并在电极（1）之上依次形成第一层电子注入层（2-1）、第二层电子注入层（2-2）、电子传输层（3）、发光层（4）、空穴传输层（5）、空穴注入层（6）和金属电极（7），其中第一层电子注入层（2-1）和第二层电子注入层（2-2）形成双电子注入层。

5.根据权利要求4所述倒置有机电致发光器件，其特征在于：所述透明的电极（1）沉积在刚性玻璃或者柔性的塑料基板上，形成导电基板，所述电极（1）为ITO、ZnO、AZO或FTO。

6.根据权利要求4所述倒置有机电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层（3）的材料为8-羟基喹啉铝（Alq₃）类金属配合物、噁二唑类化合物、喹喔啉类化合物、含氰基的聚合物、其他含氮杂环化合物、有机硅材料、全氟化材料或有机硼材料。

7.根据权利要求4所述倒置有机电致发光器件，其特征在于：形成所述发光层（4）的每一组材料采用具有能量传递的主客掺杂系统材料、多掺杂系统材料、双主体掺杂系统材料和非掺杂系统材料中的任意一种或任意几种的组合物材料。