[发明专利]含定向扩散结的肖特基器件及制造方法

权利要求书

1.一种含定向扩散结的肖特基器件，其组成包括：硅单晶基片，其特征是：所述的硅单晶基片上具有外延层，所述的外延层上设置有肖特基势垒区，所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层，所述的阳极金属层两侧设置有金属场板，所述的阳极金属层两侧与厚氧化层连接，所述的厚氧化层下部装有P+环，所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层。

2.根据权利要求1所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是：所述的硅单晶基片为重掺杂的N型硅单晶基片，所述的外延层为低掺杂的N-外延层，所述的肖特基势垒区设置有台面凹面，所述的台面凸点P型区和所述的肖特基势垒区共同形成整流结。

3.根据权利要求1或2所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是：所述的台面凸点P型区为硼杂质注入后经过高温扩散形成，所述的台面凸点P型区结深比所述的肖特基势垒区的台面凹面深度深，但低于所述的P+环的结深，所述的台面凸点P型区的硼浓度从上向下逐渐降低，且在同水平线方向上，表面浓度低于体内浓度，呈倒置的“小蘑菇”状；所述的肖特基势垒区为所述的外延层刻蚀形成的台面凹面，凹面表面浓度与所述的外延层的掺杂浓度相同。

4.一种利用权利要求1或2或3所述的含定向扩散结的肖特基器件的制造方法，其特征是：在重掺杂的N型硅单晶片上，采用CVD技术外延生长一层低浓度的N-外延层，通过热氧化在外延层上表面形成薄氧化层，经过第一次光刻、腐蚀工步，将P+环安装的区域刻开，进行第一次注入硼杂质，硼杂质可透过薄氧化层厚度注入到N-外延层硅体内，经过高温推结形成终端保护P+环；再进行第二次光刻，将终端区用光刻胶阻挡后，进行第二次硼杂质注入，硼杂质大面积注入到内部源区的外延层硅体内；去除光刻胶后，再进行第三次光刻，将台面凹面区域刻开，经过湿法腐蚀去除氧化层后，再进行硅腐蚀，形成台面凹面和台面凸点，硅腐蚀的台面凹面深度比第二次硼杂质注入的深度要深；高温氧化、推结同时进行，在腐蚀的台面表面生长厚的氧化层，并在终端形成厚的氧化层，台面凸点P型区硼推结的结深要大于台面凹面的深度，形成台面凸点P型区；使用第二次光刻用的光刻版进行第四次光刻，将内部源区刻开，经过湿法腐蚀，将内部源区的台面凹面、台面凸点的表面的氧化层全部腐蚀去除；通过溅射势垒金属，经过势垒金属合金，在台面凸点P型区间形成肖特基势垒结，再在表面进行金属蒸发形成金属层，经过金属层光刻、腐蚀，形成正面阳极金属层及边缘金属场板；将硅单晶基片底部减薄，再进行背面金属蒸镀形成阴极金属层，整个肖特基器件结构形成。