[发明专利]掩模整形装置有效

专利信息
申请号: 201510647164.8 申请日: 2015-10-08
公开(公告)号: CN106569394B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 李玲雨;许琦欣 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/64
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 整形 中空结构 掩模 气路 整形装置 恒压控制 真空吸附 掩模台 抽气 连通 密封 真空吸附方式 玻璃固定 补偿掩模 弹性部件 机械结构 进气控制 颗粒污染 框架中部 气压恒定 掩模边缘 复杂度 密闭 进气 罩设 整机 变形 摩擦 玻璃
【说明书】:

发明涉及一种掩模整形装置,包括整形框架、整形玻璃、真空吸附气路及恒压控制气路,整形框架设在掩模边缘上方,并通过若干弹性部件连接掩模台;整形框架中部为中空结构,该中空结构与掩模相对应;整形玻璃固定罩设于整形框架的中空结构上;真空吸附气路与整形框架和掩模台的连接处连通,通过抽气和进气,控制整形框架与掩模接触和分离;整形框架与掩模接触使得中空结构被密封,恒压控制气路与中空结构连通,通过抽气和进气控制密封的中空结构内的气压恒定,补偿掩模由自重产生的变形。本发明掩模整形装置的固定和中空结构的密闭均通过真空吸附方式,没有增加额外的机械结构,降低了整机集成复杂度,避免了结构之间相互摩擦带来的颗粒污染问题。

技术领域

本发明涉及光刻设备领域,尤其涉及一种用于补偿掩模自重变形的掩模整形装置。

背景技术

随着薄膜晶体管(TFT,英文全称Thin Film Transistor)基板尺寸的增加,TFT光刻机掩模板的尺寸也相应增大,由最初的6寸掩模板,到5.5代TFT光科技中,掩模板尺寸已达920mm×800mm,到8.5代掩模板尺寸更是达到了惊人的1320mm×1108mm。如此“巨大”的掩模板,吸附在掩模台上,不可避免地将受其自重影响,在垂向产生形变(可达40um以上),如图1所示。对于5.5代以上的高世代TFT光刻设备,多镜头拼接(如Nikon)或超大视场(如Canon)技术已是必然趋势,其中,掩模的挠曲对曝光精度有着极大的影响,特别极大影响投影物镜的焦深范围,使成像质量难以得到保证。

目前,已有一种在物镜中加入调节物面的机构,以适应掩模板的自重变形,以作为修正掩模挠曲的掩模保持装置,但这无疑会使物镜设计变得十分复杂,同时引入过多的可动元件势必不利于整机的可靠性。

另外,还有一种高世代TFT扫描投影光刻机中补偿掩模自重变形的装置,如图2所示,包括承载掩模1的卡盘2、掩模1上方的密封舱盖4以及两侧的机械手8,密封舱盖4下方设有矩形密封圈5,用于在密封舱盖4与掩模1之间形成的密闭空间,这种方案主要是通过气动控制系统对所述密闭空间进行抽真空,形成一定负压,从而补偿掩模1重力变形。此整形装置在集成到整机时,为控制密封舱盖4沿Z轴方向(垂向)运动以方便掩模1交换片,在掩模台上设置了升降、固定装置和机械手,这不仅给掩模台增加了重量负荷,且整机中掩模1上方的空间有限,机械手8与升降装置集成的实现较困难,这些装置也会带有一定的震动,影响成像质量;另外,卡盘2上的卡勾3与密封舱盖4上的垂向卡合机构6以及水平向卡合机构7的结合是采用机械式卡合结构方式,如图3a和3b所示,在卡勾3从开口或凹槽9中与卡合机构卡合或脱离时,势必存在一定的磨擦,将会引起颗粒产生,从而给掩模1造成污染。

发明内容

本发明提供一种掩模整形装置,以解决上述技术问题。

为解决上述技术问题,本发明提供一种掩模整形装置,安装在掩模台上方,用于补偿掩模由自重产生的变形,所述装置包括整形框架、整形玻璃、真空吸附气路及恒压控制气路,其中,

所述整形框架设在所述掩模边缘上方,并通过若干弹性部件连接所述掩模台;

所述整形框架中部为中空结构,该中空结构与所述掩模相对应;

所述整形玻璃固定罩设于所述整形框架的中空结构上,用于透光;

所述真空吸附气路与所述整形框架和所述掩模台的连接处连通,通过抽气和进气,控制所述整形框架与所述掩模接触和分离;

所述整形框架与所述掩模接触使得所述中空结构被密封,所述恒压控制气路与所述中空结构连通,通过抽气和进气控制密封的所述中空结构内的气压恒定,补偿所述掩模由自重产生的变形。

较佳地,所述整形框架与所述整形玻璃通过结构胶固定连接。

较佳地,所述弹性部件采用橡胶。

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