[发明专利]一种显示器件及其制备方法在审
申请号: | 201510647093.1 | 申请日: | 2015-10-08 |
公开(公告)号: | CN105244314A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 李园园 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示器件及其制备方法。
背景技术
目前大部分显示器件均需要柔性盖板胶材作为薄膜封装的第二道加固层,关于盖板胶材的贴合方式及尺寸,会大幅度影响后续切割作业是能够采用刀轮切割,还是必须采用激光切割,同时贴合效果会影响胶材本身侧面阻水氧的效果。
图1所示结构,是传统技术中一种贴合方式,采用基板2设置为条状,面板单元在基板的水平及竖直方向上呈均匀分布,条状的基板2在水平方向覆盖一排显示区,此种技术方案需要分多条进行贴合,贴合花费时间较长,同时需要机器多次作业,过程中产生污染几率增加;需切割胶材的区域无法进行刀轮切割,必须采用激光切割,增加作业成本。
图2-3为传统技术中另外一种贴合方式,采用大板贴合的方式,盖板为一个大板,贴合在基板1上,然后对电路集成区上方的盖板进行处理,是电路集成区上方的盖板的粘性减小,然后去除电路集成区及水平方向上相邻电路集成区中间区域6上方的盖板,此种技术方案在一定程度上节省了分条贴合的成本,但是,胶材去粘性处理不好精确控制精度;需要多次分条状进行半切割,需要多次撕膜;窄条状撕膜精度不好控制。
因此,如何更好的完成盖板的贴合以制备显示器件成为本领域技术人员面临的一大难题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种显示器件及其制备方法,主要包括设置有显示区的基板和设置有盖板块的盖板,通过覆盖一设置有开口的掩膜版于大板贴合的盖板上,掩膜版的开口与所述显示区重合,通过光照处理显示区之上的盖板使其粘性增强,然后去除掩膜版及基板上除显示区之外的其他区域之上的盖板,即得到有盖板块覆盖于显示区之上显示器件,该技术方案具体为:
一种显示器件的制备方法,其中,所述的制备方法包括:
提供一设置有若干面板单元的基板,且所述面板单元包括显示区和键合区,并于所述基板的所述显示区中制备有OLED模组;
利用胶材将一薄膜盖板贴合于所述基板之上;
利用一掩膜版对位于所述显示区的所述胶材进行粘性增强处理后,去除位于所述显示区之外的胶材及薄膜盖板。
上述的显示器件的制备方法,其中,所述制备方法还包括:
提供一掩膜基板,并于所述掩膜基板上对应所述显示区开设若干开口,以形成所述掩膜版;以及
以所述掩膜版为掩膜,对所述显示区之上的胶材进行所述粘性增强处理;
其中,进行过所述粘性增强处理后,位于所述显示区中的所述胶材的粘性大于位于所述显示区之外的所述胶材的粘性。
上述的显示器件的制备方法,其中,所述制备方法中:
采用光照的方式对所述显示区之上的胶材进行所述粘性增强处理。
上述的显示器件的制备方法,其中,所述掩膜版的材质为金属、玻璃或殷钢。
上述的显示器件的制备方法,其中,所述制备方法中:
采用半切割的方法去除位于所述显示区之外的胶材及薄膜盖板。
上述的显示器件的制备方法,其中,所述方法中:
位于所述键合区的所述基板之上设置有集成电路器件;
其中,在所述面板单元中,所述集成电路器件与所述OLED模组连接,以驱动所述OLED模组发光。
一种显示器件,基于权利要求1-6中任意一项所述的制备方法,其中,所述显示器件包括:
基板,设置有若干面板单元,所述面板单元包括键合区和显示区;
薄膜盖板,包括若干薄膜盖板块,所述薄膜盖板块通过胶材贴合于所述基板的显示区之上。
上述的显示器件,其中,于每个所述面板单元中的所述基板包括:
柔性衬底;
集成电路器件层,覆盖所述柔性衬底的上表面;
若干OLED模组,设置于所述集成电路器件层之上,且任一所述面板单元中均对应设置有一个所述OLED模组。
上述的显示器件,其中,所述显示器件还包括:
封装薄膜,覆盖所述OLED模组暴露的表面并与所述集成电路器件层接触,以将所述OLED模组密封于所述集成电路器件层之上;
其中,所述薄膜盖板通过胶材贴合于所述封装薄膜上。
上述的显示器件,其中,所述胶材和所述薄膜盖板的材质均为无色透明材料。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造