[发明专利]COA型阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种COA型阵列基板，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的彩色光阻层(3)、及设于所述彩色光阻层(3)上的像素电极(4)；

所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30)包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)，在白光照射下，所述品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)分别透射出品红色、青色、黄色、及白色光。

2.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。

3.如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。

4.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成多个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)。

5.如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。

6.一种COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(1)，所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，在所述基板(1)形成TFT层(2)；

步骤2、在所述TFT层(2)上制作彩色光阻层(3)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30)包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)；

步骤3、在所述彩色光阻层(3)上形成像素电极(4)。

7.如权利要求6所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。

8.如权利要求7所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。

9.如权利要求6所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成数个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括从左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)。

10.如权利要求6所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。