[发明专利]一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法，其采用摩尔比为1:（0～1）:（0.5～2）的氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末为原料制得，其特征在于，制备过程包括以下步骤：

1)生胚制成，具体包括：

1.1）调浆，将三种原料均匀混合；

1.2）注浆成型；

1.3）增密处理：将注浆成型的胚料烘干后进行冷等静压制得生胚，冷等静压最高压为200～300MPa，保压时间2～5min；

2)通氧烧结：将制成的生胚放置于氧气浓度为95％以上的环境中加热烧结，升温速率为40～100℃/h，最高温为1350～1500℃，升至最高温区后保温2～4h而后退火；

3)真空热处理：将通氧烧结得到的高致密度靶材放在真空条件下，以60～100℃/h的速率升温到1200～1400℃，升至最高温区后保温1～2h。

2.一种高导电性IGZO溅射靶材，其特征在于，其由权利要求1所述的制备方法制得。