[发明专利]一种超粗钨粉的制造工艺在审
申请号: | 201510638560.4 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105149608A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 郭名亮;刘小平;王高安;朱启伟;郭家亮;肖声浪 | 申请(专利权)人: | 江西耀升钨业股份有限公司 |
主分类号: | B22F9/22 | 分类号: | B22F9/22 |
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地址: | 341321*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超粗钨粉 制造 工艺 | ||
技术领域
本发明属于粉末冶金技术领域,涉及一种超粗钨粉的制造工艺。
背景技术
钨熔点高,只能采取粉末冶金的方法生产,即通过还原钨氧化物或仲钨酸铵(APT)得到钨粉,然后制成金属钨及钨合金制品。由于钨本身的性质,还原钨氧化物或仲钨酸铵得到的钨粉粒度范围一般都在2~5μm,很难得到超粗钨粉。
授权公告号为CN102489714B、专利申请号为:201110407961.0、发明名称为:一种生产超粗钨粉的方法的中国发明专利,公开了一种生产超粗钨粉的方法,该方法可以制得平均粒径为150μ的超粗钨粉,但是该方法存在以下缺点:1、能耗高,其还原温度为1000℃;2、氢气用量较大,其氢气截面流量为0.01L/min·cm2;3、还原时间长,其还原时间为2h。
发明内容
(1)要解决的技术问题
本发明为了克服现有超粗钨粉制备方法存在能耗高、氢气用量较大、还原时间长的缺点,本发明要解决的技术问题是提供一种能耗低、氢气用量较小、还原时间短的超粗钨粉的制造工艺。
(2)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供了这样一种超粗钨粉的制造工艺,工艺步骤为:
a.按一定比例配制钨酸钠和钨酸铵混合溶液,钨酸钠与钨酸铵的摩尔比为1:40;
b.将配制的溶液加热至沸腾,当体积蒸发掉80%~90%时,停止加热,将其送入远红外烘箱,在150℃干燥2h,得到仲钨酸铵和钨酸钠结晶混合物的前驱体;
c.将前驱体擦筛,制成-80目的粉末,再加入占前驱体质量的20%的细钨粉返回料,用V型混料机混合2h;
d.在管式还原炉内通入氢气进行还原,还原炉的炉管直径为90mm,长度为800mm,在炉管的外侧面上设置2台中心间距为400mm的超声波发生器,在炉管的外侧面上再设置3台中心间距为200mm的气动锤,还原时通入的氢气截面流量为0.005L/min·cm2,使超声波发生器的频率处于25-26kHz下,气动锤的敲击频率为60次/min,并且使3台气动锤不在同一时间同时敲击还原炉的炉管,还原时间为30min,得到超粗钨粉,超粗钨粉的粒径为150μm,还原温度为900℃;
e.将还原得到的超粗钨粉在超声波槽中用去离子水进行清洗,过滤,用工业酒精脱水,然后在真空干燥箱中80℃干燥1~2h,最后进行筛分,筛分出的细的钨粉返回原料循环利用。
工作原理:
(3)有益效果
本发明克服了现有超粗钨粉制备方法存在能耗高、氢气用量较大、还原时间长的缺点,本发明提供了一种能耗低、氢气用量较小、还原时间短的超粗钨粉的制造工艺。
附图说明
图1为本发明还原炉的炉管装置结构示意图。
附图中的标记为:1-炉管,2-气动锤,3-超声波发生器。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
一种超粗钨粉的制造工艺,制备平均粒径为150μm的超粗钨粉,其工艺步骤为:
a.按一定比例配制钨酸钠和钨酸铵混合溶液,钨酸钠与钨酸铵的摩尔比为1:40;
b.将配制的溶液加热至沸腾,当体积蒸发掉80%~90%时,停止加热,将其送入远红外烘箱,在150℃干燥2h,得到仲钨酸铵和钨酸钠结晶混合物的前驱体;
c.将前驱体擦筛,制成-80目的粉末,再加入占前驱体质量的20%的细钨粉返回料,用V型混料机混合2h;
d.在管式还原炉内通入氢气进行还原,图1为本发明还原炉的炉管装置结构示意图,如图1所示,还原炉的炉管直径为90mm,长度为800mm,在炉管的外侧面上设置2台中心间距为400mm的超声波发生器,在炉管的外侧面上再设置3台中心间距为200mm的气动锤,还原时通入的氢气截面流量为0.005L/min·cm2,使超声波发生器的频率处于25-26kHz下,气动锤的敲击频率为60次/min,并且使3台气动锤不在同一时间同时敲击还原炉的炉管,还原时间为30min,得到超粗钨粉,超粗钨粉的粒径为150μm,还原温度为900℃;
e.将还原得到的超粗钨粉在超声波槽中用去离子水进行清洗,过滤,用工业酒精脱水,然后在真空干燥箱中80℃干燥1~2h,最后进行筛分,筛分出的细的钨粉返回原料循环利用。
以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形、改进及替代,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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